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8通道的DG508B和4通道的DG509B采用獨(dú)特的設(shè)計(jì)，非常適用于模數(shù)轉(zhuǎn)換網(wǎng)絡(luò)的模擬前端中的高精度復(fù)用，這種應(yīng)用中需要更快和更精確的數(shù)據(jù)采集性能。DG508B和DG509B CMOS將最大電壓等級提升到44V，具有軌到軌模擬輸出能力，可以在雙電源或單電源配置下工作。

器件采用增強(qiáng)的SG-II CMOS工藝制造，在處理寬擺幅的模擬信號時(shí)，通道的典型關(guān)斷泄漏電流小于3pA。源關(guān)閉時(shí)的寄生電容僅為3pF，電荷注入小于2pC，從而實(shí)現(xiàn)了精確、低電涌的開關(guān)性能。

器件具有超低功耗，可保證在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)的最大電流不大于600 μA，這要比市場上其他最好的器件還要低60%，這使得DG508B和DG509B能夠勝任便攜式、電池供電的應(yīng)用。

增強(qiáng)的SG-II CMOS工藝也使得新器件在大于200MHz的帶寬下的衰減只有-3dB，在100MHz時(shí)的串?dāng)_合關(guān)閉隔離達(dá)到-40dB，這使得DG508B和DG509B可勝任包括視頻在內(nèi)的各種各樣模擬信號應(yīng)用。

DG508B和DG509B的導(dǎo)通通道能夠在兩個(gè)方向上都同樣良好地導(dǎo)電，每個(gè)通道在關(guān)閉狀態(tài)下能夠阻斷和電源軌一樣高的電壓。復(fù)用器具有使能功能，在遇到多個(gè)堆疊的器件時(shí)，能夠把所有開關(guān)復(fù)位至關(guān)閉狀態(tài)。器件的其他特性還包括與TTL兼容的邏輯和先開后合的開關(guān)動(dòng)作，能夠保護(hù)器件免受相鄰?fù)ǖ篱g瞬時(shí)串?dāng)_的影響。

DG508B和DG509B均提供16腳的SOIC和TSSOP封裝，可在- 40℃～+125℃的擴(kuò)展溫度范圍內(nèi)工作。器件采用無鉛端子，符合RoHS指令和IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定。