萊智科技日前推出CharFlo-Memory!升級版內存特性分析工具軟件,新增功能系針對提升硅制良率。
萊智科技表示,最新推出的CharFlo-Memory!乃是采用以下幾種方式,確保提升硅晶圓上最大區塊的內存IP工藝高良率:
- 針對個別PVT(工藝,電壓,溫度)狀況下所提取的對象進行內存特性化分析,而非僅對模型以內插法與外插法粗略演算。
- 判讀內存設計架構與原型之后,執行電路層級仿真結果的可靠度驗證。
- 經由提供針對關鍵網絡之寄生電路、電阻的提取,在更短的時間之內完成原本已達高效率的布局寄生電路、電阻提取工作。
萊智科技表示,此CharFlo-Memory內存特性分析軟件已成功獲得主要國際晶圓大廠、整合元件制造公司及IC設計公司,例如臺積電、聯電、
Broadcom、Marvell與多家日本半導體制造商。其為高性能嵌入式內存成功產生的正確時程與功率模型,已獲多項單系級芯片設計采用,其中也包括65與90納米工藝。
