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面對90%+能效目標,你準備好了嗎?

發(fā)布日期:2022-07-14 點擊率:51

綠化 (going green) 是所有產(chǎn)業(yè)的熱門議題,節(jié)能和減排已經(jīng)成為能源使用的主題。不管是美國政府主導的“能源之星(Energy Star)”,還是由全球計算業(yè)界領導廠商提出的“計算機產(chǎn)業(yè)拯救氣候計劃(Climate Savers Computing Initiative) ”,待機能耗,加上各國出臺的相關法律法規(guī),都對電子產(chǎn)品能源效率提出了更高的要求,成為全球電子業(yè)者都要面臨的重大挑戰(zhàn)。


英飛凌科技全球開關電源高級市場經(jīng)理Thomas Schmidt日前表示:“出貨量最大的PC類產(chǎn)品及長期運轉工作的服務器耗能最多,自然成為關注的焦點。到今年7月,Climate Savers Initiative組織對電源模塊的采購要求100%的PC電源滿足能源之星4.0的要求,到2009年6月超過20%的PC電源半負載下效率需達到85%;同時超過80%的服務器電源半負載下效率要求達到85%,超過20%的服務器電源半負載下效率需達到89%,時間已經(jīng)十分緊迫。而到了2010年,更是要求100%的1U/2U服務器電源達到89%的半負載下效率,超過20%的電源達到92%。”(如下圖所示)。



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如此看來,在PSU既電源供電單元領域采用更加綠色的方案和設計已經(jīng)刻不容緩,電源工程師們,你們準備好了嗎?


據(jù)Schmidt說,目前很多亞洲電源廠商已在開發(fā)瞄準半負載下88%+效率水平的產(chǎn)品,部分甚至在開發(fā)90%以上的設計,以趕上那些期限。不僅PC和服務器電源領域,對于沒有明確入市約束的通信和消費電子領域,節(jié)能同樣是大家共同最求的目標,據(jù)悉一些通信基礎設施廠商已在瞄準90%+的目標做研發(fā),消費類廠商則已基本到80%+的水平,另外待機功耗也在不斷降低,低于歐盟要求已很普遍。


針對以上趨勢,系統(tǒng)設計對電源類半導體的功率密度和效率要求自然不斷增加,諸如英飛凌、ST、IR、TI等大公司和中小電源IC廠商都在不斷推出新技術和新一代產(chǎn)品來滿足這一需求。對于PC和服務器等中低壓應用電源應用,獨立的功率半導體器件主要朝著更低通態(tài)電阻(RDSon)和采用實現(xiàn)更大功率密度、降低散熱的新型封裝發(fā)展,例如英飛凌科技股份公司剛剛宣布推出的采用SuperSO8和S308 (Shrink SuperSO8)封裝的40V、60V和80V OptiMOS 3 N溝道MOSFET就在本次深圳的中國國際電源展覽會得到了重點展示(如下圖),該小型封裝的無鉛無鹵產(chǎn)品號稱可以提供全球最低的通態(tài)電阻(RDSon)。SuperSO8封裝與標準TO(晶體管外形)封裝相比,可使功率密度增大50%,特別是對于服務器開關模式電源的同步整流應用而言。



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除了PC和服務器,OptiMOS 3 40V、60V和80V產(chǎn)品也適用于其它需要高效率和功率密度的功率轉換和管理應用,包括眾多產(chǎn)品的SMPS(開關模式電源)、DC/DC轉換器和直流電機驅(qū)動器等。這些產(chǎn)品包括家用電器、小型電動車、工業(yè)自動化系統(tǒng)、電信設備和電動工具、電動剪草機和風扇等消費類電子設備。


Schmidt還特別指出,采用OptiMOS 3替代現(xiàn)有的DC/DC buck解決方案可獲得超過1%的效率提升;而在AC/DC電源設計上,采用30V到80V的OptiMOS 3替代次級的二極管更可以使整體電源效率提升3%~5%。


作為大功率產(chǎn)品如IGBT的業(yè)內(nèi)領導者,英飛凌最近幾年才進入低壓MOSFET領域,并憑借其OptiMOS系列產(chǎn)品取得了不俗的市場戰(zhàn)績。不久前英飛凌更是獲得了IR公司的DirectFET雙面散熱先進功率管理封裝技術的專利授權,進一步提升了其技術能力,在本次電源展覽會上英飛凌也對少量采用該封裝技術的CanPAK產(chǎn)品進行了展示(據(jù)悉OnSemi也已得到IR此先進封裝技術的授權)。


談及未來的技術發(fā)展方向,Schmidt表示,MOSFET針對不同客戶和應用,定制化的趨勢將更加明顯,這也是為什么近來中小電源IC廠商業(yè)務增長較快的原因(見相關報道小型廠商發(fā)展迅速,10大電源管理半導體供應商業(yè)績下滑)。隨著各種電子系統(tǒng)越來越趨向小型化和集成化,占據(jù)大量空間的PSU部分已經(jīng)成為一個非常大的負擔,未來將有可能將PFC控制、PWM控制與MOSFET集成到一起,屆時,PSU的設計將變得更加簡單。


作者:馬一丁、趙艷




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