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應(yīng)對(duì)65nm時(shí)代的可制造性設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

發(fā)布日期：2022-07-14 點(diǎn)擊率：66

造性設(shè)計(jì)(DFM) 問題正變得越來越關(guān)鍵,其原因在于,隨著芯片關(guān)鍵結(jié)構(gòu)尺度的不斷縮微,相同的絕對(duì)物理變異可能導(dǎo)致相對(duì)較大的電氣變異。在65nm及以下節(jié)點(diǎn),光刻效應(yīng)成為制造性變異的最大因素。37頁表示的是芯片中心的一個(gè)門。由GDSII表述的該邏輯門的幾何形狀輪廓顯示在左邊(紅輪廓線代表硅片中的擴(kuò)散區(qū),而四個(gè)綠色矩形反映的是伴隨單個(gè)晶體管的多晶硅柵極區(qū))。右上角的黃箭頭指示了其中一個(gè)晶體管的溝道寬度和長(zhǎng)度(溝道實(shí)際上是被柵極覆蓋的一個(gè)硅片區(qū)域)。

SII文件進(jìn)行后處理。例如,物理設(shè)計(jì)工具通過強(qiáng)化現(xiàn)有特征或增加新特征(被稱為次分辨率輔助特性——SRAF)的手段修改GDSII文件以獲得更好的可印刷能力。它意味著,若工具預(yù)計(jì)印刷過程會(huì)產(chǎn)生某種失真,則工具將自動(dòng)增加反方向失真,以使兩個(gè)失真相互抵消。問題在于,設(shè)計(jì)中的每個(gè)結(jié)構(gòu)都受臨近結(jié)構(gòu)的影響。也即,若GDSII文件生成了兩個(gè)幾何形狀并在光掩膜時(shí)相互隔絕,則這兩個(gè)形狀將以確定方式被打印。但若使同樣這兩個(gè)形狀相互靠得很近,則這兩個(gè)形狀間的相互干擾通常會(huì)以非直觀的方式擅自改變這兩個(gè)形狀。這些干擾的結(jié)果將導(dǎo)致時(shí)序、噪聲和功耗變異并最終影響良率。

圖1:真正的可制造性設(shè)計(jì)需要適應(yīng)絕對(duì)物理變異。