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　　意法半導體(ST)公布了全新的8位微控制器平臺的技術(shù)細節(jié)，新平臺將為各種實際應用提供出色的性能水平和成本效益。基于一個高性能的8位內(nèi)核，配備一套先進的外設接口，ST將采用專屬的130納米嵌入式非易失性存儲器技術(shù)制造STM8平臺。

　　ST為特殊應用領域優(yōu)化的特色產(chǎn)品多數(shù)都將采用STM8平臺，這些應用包括汽車電子、工業(yè)設備、低壓產(chǎn)品和電池供電應用，以及專用標準產(chǎn)品。STM8各系列產(chǎn)品都為客戶提供新平臺的主要優(yōu)點，包括更高的性能、提高的可靠性、縮短的設計周期和較低的系統(tǒng)總成本。

　　現(xiàn)在8位微控制器市場總額大約為50億美元，專家預測該市場將會健康發(fā)展，出貨量預計從2007年的44億件增長到2013年65億件。2007年到2013年之間，僅車用微控制器的增幅就預計達到約40%。不過，降低實現(xiàn)解決方案成本的壓力是8位微控制器市場的一個重要特點，STM8平臺的設計目標就是以相對較低的系統(tǒng)總成本實現(xiàn)更高的性能。

　　在性能上，STM8采用一個帶有16位索引寄存器和堆棧指針的哈佛結(jié)構(gòu)，支持一個16兆字節(jié)的線性地址空間、先進尋址模式等其它先進特性，這些特性的設計是為更好地支持C語言編
程在執(zhí)行速度和代碼密度方面實現(xiàn)先進CPU性能。內(nèi)核處理速度達到平均每條指令1.6個時鐘周期，在24MHz時最高性能為20 MIPS（百萬條指令每秒），采用3級流水線技術(shù)。

　　選用這項技術(shù)的目的是通過提高集成度降低系統(tǒng)成本，并能夠嵌入非易失性數(shù)據(jù)存儲器，同時在到的寬電壓范圍內(nèi)提供優(yōu)異的模擬性能。例如，輸入/輸出引腳的焊盤設計是為了承受強烈的外部干擾，無需外部保護元器件即可實現(xiàn)強固的抗干擾能力。STM8平臺提供真正的嵌入式EEPROM存儲器，耐擦寫和數(shù)據(jù)保存能力可與外部存儲器媲美，因此不再需要基于閃存的復雜仿真方法。片上程序閃存可用容量將高達256K。該平臺還提供多項可以高速運行以及大幅度降低功耗的技術(shù)。所有這些技術(shù)優(yōu)勢都將適用于工作溫度高達145攝氏度的汽車電子級產(chǎn)品內(nèi)。

　　STM8與ST新的32位微控制器C系列產(chǎn)品（如STM32）共用外設，因此，STM8很好地延續(xù)了ST的32位微控制器產(chǎn)品組合，ST將在2008年上半年推出其第一款STM8系列產(chǎn)品。