美女网站一区二区_在线观看日韩毛片_成人在线视频首页_欧美精品一区二区三区久久久_国产精品亚洲一区二区三区在线_日本免费新一区视频_日本美女一区二区三区_精品亚洲成a人_久久不见久久见免费视频1_91首页免费视频_欧美一区二区在线看_91精品91久久久中77777_天堂蜜桃一区二区三区_av在线一区二区_欧美不卡一区二区_欧美影视一区二区三区

LDMOS (Lateral Diffused MetalOxide Semiconductor Transistor，橫向擴散金屬氧化物半導體)以其高功率增益、高效率及低成本等優(yōu)點，被廣泛應用于移動通信基站、雷達、導航等領域。射頻大功率 LDMOS由于具有P、L波段以上的工作頻率和高的性價比，已成為3G手機基站射頻放大器的首選器件。

隨著IC集成度的提高及器件特征尺寸的減小，柵氧化層厚度越來越薄，其柵的耐壓能力顯著下降，擊穿電壓是射頻LDMOS器件可靠性的一個重要參數(shù)，它不僅決定了其輸出功率，還決定了器件的耐壓能力，因此必須要采取措施以提高器件的擊穿電壓。

本文將在基本LDMOS的基礎上，通過器件結構的改進來提高LDMOS的抗擊穿能力。

1、LDMOS耐壓特性

如圖1所示，LDMOS最主要的結構特點是采用雙擴散技術，在同一窗口進行磷擴散，溝道長度由兩種擴散的橫向結深決定。LDMOS中產(chǎn)生的擊穿形式有柵絕緣層擊穿和漏源擊穿。

LDMOS高壓器件是多子導電器件，由于漂移區(qū)將漏區(qū)與溝道隔離，Vds絕大部分降落在漂移區(qū)上，基本上沒有溝道調(diào)制，所以當Vds增大時，輸出電阻不下降。并且柵電極和漏區(qū)不重迭，從而提高了漏源擊穿電壓。

影響LDMOS耐壓性能的因素很多，本文將從埋層、漂移區(qū)摻雜濃度、襯底摻雜濃度3方面進行分析各參數(shù)對其耐壓性能的影響。