摘要：紅外顯微鏡的結構和金相顯微鏡相似。但它采用的是近紅外( 波長為01 75~ 3 微米) 光源， 并用紅外變像管成像。由于鍺、硅等半導體材料及薄金屬層對紅外輻射是透明的。
電子信息技術是當今新技術革命的核心， 電子元器件是發(fā)展電子信息技術的基礎。了解造成元器件失效的因素，以提高可靠性， 是電子信息技術應用的必要保證。
開展電子元器件失效分析， 需要采用一些先進的分析測試技術和儀器。
1 光學顯微鏡分析技術
光學顯微鏡分析技術主要有立體顯微鏡和金相顯微鏡。
立體顯微鏡放大倍數(shù)小， 但景深大; 金相顯微鏡放大倍數(shù)大， 從幾十倍到一千多倍， 但景深小。把這兩種顯微鏡結合使用， 可觀測到器件的外觀， 以及失效部位的表面形狀、分布、尺寸、組織、結構和應力等。如用來觀察到芯片的燒毀和擊穿現(xiàn)象、引線鍵合情況、基片裂縫、沾污、劃傷、氧化層的缺陷、金屬層的腐蝕情況等。顯微鏡還可配有一些輔助裝置， 可提供明場、暗場、微分干涉相襯和偏振等觀察手段， 以適應各種需要。
2 紅外分析技術
紅外顯微鏡的結構和金相顯微鏡相似。但它采用的是近紅外( 波長為01 75~ 3 微米) 光源， 并用紅外變像管成像。由于鍺、硅等半導體材料及薄金屬層對紅外輻射是透明的。利用它， 不剖切器件的芯片也能觀察芯片內部的缺陷及焊接情況等。它還特別適于作塑料封裝半導體器件的失效分析。
紅外顯微分析法是利用紅外顯微技術對微電子器件的微小面積進行高精度非接觸測溫的方法。器件的工作情況及失效會通過熱效應反映出來。器件設計不當， 材料有缺陷， 工藝差錯等都會造成局部溫度升高。發(fā)熱點可能小到微米以下， 所以測溫必須針對微小面積。為了不影響器件的工作情況和電學特性， 測量又必須是非接觸的。找出熱點， 并用非接觸方式高精度地測出溫度， 對產(chǎn)品的設計、工藝過程控制、失效分析、可靠性檢驗等， 都具有重要意義。
紅外熱像儀是非接觸測溫技術， 它能測出表面各點的溫度， 給出試樣表面的溫度分布。
紅外熱像儀用振動、反射鏡等光學系統(tǒng)對試樣高速掃描， 將發(fā)自試樣表面各點的熱輻射會聚到檢測器上， 變成電信號， 再由顯示器形成黑白或彩色圖像， 以便用來分析表面各點的溫度。
3 聲學顯微鏡分析
超聲波可在金屬、陶瓷和塑料等均質材料中傳播。用超聲波可檢驗材料表面及表面下邊的斷裂， 可探測多層結構完整性等較為宏觀的缺陷。超聲波是檢測缺陷、進行失效分析的很有效的手段。將超聲波檢測同先進的光、機、電技術相結合， 還發(fā)展了聲學顯微分析技術， 用它能觀察到光學顯微鏡無法看到的樣品內部情況， 能提供X 光透視無法得到的高襯度圖像， 能應用于非破壞性分析。
4 液晶熱點檢測技術
如前所述， 半導體器件失效分析中， 熱點檢測是有效手段。
液晶是一種液體， 但溫度低于相變溫度， 則變?yōu)榫w。
晶體會顯示出各向異性。當它受熱， 溫度高過相變溫度，就會變成各向同性的液體。利用這一特性， 就可以在正交偏振光下觀察液晶的相變點， 從而找到熱點。
液晶熱點檢測設備由偏振光顯微鏡、可調溫度的樣品臺和樣品的電偏置控制電路組成。
液晶熱點檢測技術可用來檢查針孔和熱點等缺陷。若氧化層存在針孔， 它上面的金屬層和下面的半導體就可能短路， 而造成電學特性退化甚至失效。把液晶涂在被測管芯表面上， 再把樣品放在加熱臺上， 若管芯氧化層有針孔，則會出現(xiàn)漏電流而發(fā)熱， 使該點溫度升高， 利用正交偏振光在光學顯微鏡下， 觀察熱點與周圍顏色的不同， 便可確定器件上熱點的位置。
由于功耗小， 此法靈敏度高， 空間分辨率也高。
5 光輻射顯微分析技術
半導體材料在電場激發(fā)下， 載流子會在能級間躍遷而發(fā)射光子。半導體器件和集成電路中的光輻射可以分成三大類： 一是少子注入pn 結的復合輻射， 即非平衡少數(shù)載流子注入到勢壘， 并與多數(shù)載流子復合而發(fā)出光子。二是電場加速載流子發(fā)光， 即在強電場的作用下產(chǎn)生的高速運動載流子與晶格上的原子碰撞， 使之電離而發(fā)光。三是介質發(fā)光。在強電場下， 有隧道電流流過二氧化硅和氮化硅等介質薄膜時， 就會有光子發(fā)射。
光輻射顯微鏡用微光探測技術， 將光子探測靈敏度提高6 個數(shù)量級， 與數(shù)字圖象技術相結合， 以提高信躁比。
20 世紀90 年代后， 又增加了對探測到的光輻射進行光譜分析的功能， 從而能夠確定光輻射的類型和性質。
做光輻射顯微鏡探測， 首先要在外部光源下對樣品局部進行實時圖像探測， 然后對這一局部施加偏壓， 在不透光的屏蔽箱中， 探測樣品的光輻射。
半導體器件中， 多種類型的缺陷和損傷在一定強度電場作用下會產(chǎn)生漏電， 并伴隨載流子的躍進而產(chǎn)生光輻射，這樣對發(fā)光部位的定位就可能是對失效部位的定位。目前，光輻射顯微分析技術能探測到的缺陷和損傷類型有漏電結、接觸尖峰， 氧化缺陷、柵針孔、靜電放電損傷、閂鎖效應、熱載流子、飽和態(tài)晶體管以及開關態(tài)晶體管等等。
