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科普知識
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二極管

變容二極管的構造原理

發布日期:2022-10-09 點擊率:57

【導讀】本文主要全部涉及光接收器靈敏度,其中包括由于幅度和時序上的隨機噪聲和符號間干擾(ISI)的積累而可能對功率輸出產生的影響。該分析基于正常的接收器靈敏度,假設理想輸入信號的干擾可忽略不計,例如ISI,上升/下降時間,抖動和發射器相對強度噪聲(RIN)。


變容二極管(Varactor Diodes)又稱“可變電抗二極管”,是利用pN結反偏時結電容大小隨外加電壓而變化的特性制成的。反偏電壓增大時結電容減小、反之結電容增大,變容二極管的電容量一般較小,其值為幾十皮法到幾百皮法,區容與小電容之比約為5:1。它主要在高頻電路中用作自動調諧、調頻、調相等、例如在電視接收機的調諧回路中作可變電容。


作用特點


1、變容二極管的作用是利用PN結之間電容可變的原理制成的半導體器件,在高頻調諧、通信等電路中作可變電容器使用。


變容二極管屬于反偏壓二極管,改變其PN結上的反向偏壓,即可改變PN結電容量。反向偏壓越高,結電容則越少,反向偏壓與結電容之間的關系是非線性的,如右圖所示。


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變容二極管有沒有正負極以及如何判斷正負極


變容二極管與反向偏壓


2、變容二極管的電容值與反向偏壓值的關系圖解:


(a) 反向偏壓增加,造成電容減少;

(b) 反向偏壓減少,造成電容增加。


電容誤差范圍是一個規定的變容二極管的電容量范圍。數據表將顯示小值、標稱值及值,這些經常繪在圖上。


變容二極管又稱“可變電抗二極管”。所用材料多為硅或砷化鎵單晶,并采用外延工藝技術。反偏電壓愈大,則結電容愈小。變容二極管具有與襯底材料電阻率有關的串聯電阻。


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是變容二極管的電路圖形符號。


變容二極管屬于反偏壓二極管,改變其PN結上的反向偏壓,即可改變PN結電容量。反向偏壓越高,結電容則越少,反向偏壓與結電容之間的關系是非線性的。


變容二極管有玻璃外殼封裝(玻封)、塑料封裝(塑封)、金屬外殼封裝(金封)和無引線表面封裝等多種封裝形式、如圖所示。通常,中小功率的變容二極管采用玻封、塑封或表面封裝,而功率較大的變容二極管多采用金封。


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變容二極管有沒有正負極以及如何判斷正負極


構造原理


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變容二極管的構造原理、簡化等效電路及電路符號


變容二極管的構造原理


參見圖1(a)。從本質上講,它屬于反偏壓的二極管,其結電容就是耗盡層的電容。可近似反耗盡層視為平行板電容器,兩個導電板之間有介質。因此,結電容C1的容量與耗盡層的寬度d成反比,有公式C1∝1/d,又因為d與反向偏壓VR的n次方成正比(n是與摻雜濃度有關的常數),故C1∝1/VRn,因此,反向偏壓愈高,耗盡區就愈寬,而結電容量愈小。反之亦然。(a)圖中,VR1>VR2,故d2>d1,Cj2<Cj1。


變容二極管的簡化等效電路及電路符號分別如圖1(b)、(c)所示。圖中用一只可變電容來表示結電容。R2是半導體材料的電阻。


正負極區分


選擇500型萬用表的R&TImes;1k檔。首先將紅表筆接一端,黑表筆接另一端,若測得電阻值為6.5kΩ,與此同時記下表針倒數偏轉格數n′≈19.7格。然后交換管腳位置后重新測量,電阻值變成無窮大。由此判定次為正向接法,正向電阻為6.5kΩ,正向導通電壓VF=0.03V/格&TImes;9.7格=0.59V。第二次則屬于反向接法。該管子具有單向導電性,并且靠近紅色環的管腳為正極。欲測量變容二極管的結電容,可選用100pF量程的線性電容表。


特性參數


①反向工作電壓VR:是指加在變容二極管兩端的反向電壓不能超過的電壓允許值。

②反向擊穿電壓VB。:在施加反向電壓的情況下,使變容二極管擊穿的電壓。

③結電容C:它是指在一特定的反偏壓下,變容二極管內部PN結的電容。

④結電容變化范圍:在工作電壓范圍內結電容的變化范圍。

⑤電容比:是指結電容變化范圍內的電容與小電容之比。

⑥Q值:是變容二極管的品質因數,它反映了對回路能量的損耗。


故障表現


變容二極管發生故障,主要表現為漏電或性能變差:


(1)發生漏電現象時,高頻調制電路將不工作或調制性能變差。


(2)變容性能變差時,高頻調制電路的工作不穩定,使調制后的高頻信號發送到對方被對方接收后產生失真。


出現上述情況之一時,就應該更換同型號的變容二極管。

(來源:中電網)


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