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晶體管

使用雙極性結型晶體管和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源

發(fā)布日期:2022-10-09 點擊率:57

【導讀】本實驗旨在研究如何利用零增益概念來產(chǎn)生穩(wěn)定(對輸入電流電平的變化較不敏感)的輸出電流。本文將重點討論使用雙極性結型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源。

 

穩(wěn)定電流源(BJT)

 

目標

 

本實驗旨在研究如何利用零增益概念來產(chǎn)生穩(wěn)定(對輸入電流電平的變化較不敏感)的輸出電流。

 

材料

 

●     ADALM2000主動學習模塊

●     無焊面包板

●     一個2.2 kΩ電阻(或其他類似值)

●     一個100 Ω電阻

●     一個4.7 kΩ電阻

●     兩個小信號NPN晶體管(2N3904或SSM2212)

 

說明

 

BJT穩(wěn)定電流源對應的電路如圖1所示。

 

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圖1.穩(wěn)定電流源

 

硬件設置

 

面包板連接如圖2所示。W1的輸出驅動電阻R1的一端。電阻R1和R2以及晶體管Q1按照 2020年11月StudentZone文章所示進行連接。由于Q2的VBE始終小于Q1的VBE,因此可能的話,從器件庫存中選擇Q1和Q2滿足條件——在相同集電極電流下,Q2的VBE小于Q1的VBE。晶體管Q2的基極連接到Q1集電極的零增益輸出。R3連接在Vp電源和Q2的集電極之間,與2+示波器輸入一起用來測量集電極電流。

 

使用雙極性結型晶體管和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源

圖2.NMOS零增益放大器面包板電路

 

程序步驟

 

零增益放大器可用于創(chuàng)建穩(wěn)定的電流源。現(xiàn)在,當W1所表示的輸入電源電壓變化時,晶體管Q1的集電極所看到的電壓更為穩(wěn)定,因此可以將其用作Q2的基極電壓,以在晶體管Q2中產(chǎn)生更穩(wěn)定的電流。

 

波形發(fā)生器配置為1 kHz三角波,峰峰值幅度為3 V,偏置為1.5 V。示波器通道2的輸入(2+)用于測量Q2集電極上的穩(wěn)定輸出電流。

 

配置示波器以捕獲所測量的兩個信號的多個周期。確保啟用XY功能。

 

使用示波器的波形圖示例如圖3和圖4所示。

 

使用雙極性結型晶體管和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源

圖3.Q2集電極電壓與W1電壓的關系

 

使用雙極性結型晶體管和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源

圖4.Q2集電極電流與W1電壓關系的示波器圖

 

穩(wěn)定電流源(NMOS)

 

材料

 

●     ADALM2000主動學習模塊

●     無焊面包板

●     一個2.2 kΩ電阻(或其他類似值)

●     一個168 Ω電阻(將100 Ω和68 Ω電阻串聯(lián))

●     一個4.7 kΩ電阻

●     兩個小信號NMOS晶體管(CD4007或ZVN2110A)

 

說明

 

MOS穩(wěn)定電流源對應的電路如圖5所示。

 

使用雙極性結型晶體管和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源

圖5.穩(wěn)定電流源

 

硬件設置

 

面包板連接如圖6所示。波形發(fā)生器W1的輸出驅動電阻R1的一端。電阻R1和R2以及晶體管M1按照 2020年11月StudentZone文章所示進行連接。由于M2的VGS始終小于M1的VGS,因此可能的話,從器件庫存中選擇M1和M2滿足——在相同漏極電流下,M2的VGS小于M1的VGS。晶體管M2的柵極連接到M1漏極的零增益輸出。R3連接在Vp電源和M2的漏極之間,與2+示波器輸入一起用來測量漏極電流。

 

使用雙極性結型晶體管和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源

圖6.穩(wěn)定電流源面包板電路

 

程序步驟

 

波形發(fā)生器配置為1 kHz三角波,峰峰值幅度為4 V,偏置為2 V。示波器通道2的輸入(2+)用于測量M2漏極上的穩(wěn)定輸出電流。

 

配置示波器以捕獲測量的兩個信號的多個周期。確保啟用XY功能。

 

圖7提供了示波器顯示的圖像示例。

 

使用雙極性結型晶體管和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源

圖7.M2漏極電壓與W1電壓的關系

 

關于BJT和NMOS的問題

 

此類電路有時稱為峰化電流源。您認為為什么會使用此命名規(guī)則?

輸出電流的峰值很窄。如何調整電路以產(chǎn)生更寬、更平坦的峰值?

 

您可以在 學子專區(qū)博客上找到問題答案。

 

 

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