【導讀】半導體技術的進步推動了相控陣天線在整個行業(yè)的普及。早在幾年前，防務應用中已經(jīng)開始出現(xiàn)從機械轉向天線到有源電子掃描天線 (AESA) 的轉變，但直到最近，才在衛(wèi)星通信和5G通信中取得快速發(fā)展。小型AESA具有多項優(yōu)勢，包括能夠快速轉向、生成多種輻射模式、具備更高的可靠性；但是，在IC技術取得重大進展之前，這些天線都無法廣泛使用。平面相控陣需要采用高度集成、低功耗、高效率的設備，以便用戶將這些組件安裝在天線陣列之后，同時將發(fā)熱保持在可接受的水平。本文將簡要描述相控陣芯片組的發(fā)展如何推動平面相控陣天線的實現(xiàn)，并采用示例輔助解釋和說明。
在過去幾年里，我們在非常重視方向性的場合廣泛使用拋物線碟形天線來發(fā)射和接收信號。其中許多系統(tǒng)表現(xiàn)出色，在經(jīng)過多年優(yōu)化之后保持了相對較低的成本。但這些機械轉向碟形天線存在一些缺點。它們體積龐大，操作緩慢，長期可靠性較差，而且只能提供一種所需的輻射模式或數(shù)據(jù)流。
相控陣天線采用電信號轉向機制，具有諸多優(yōu)點，例如高度低，體積小、更好的長期可靠性、快速轉向、多波束等。相控陣天線設計的一個關鍵方面是天線元件的間隔。大部分陣列都需要大約半個波長的元件間隔，因此在更高頻率下需要更復雜的設計，由此推動IC在更高頻率下，實現(xiàn)更高程度的集成，越加先進的封裝解決方案。
人們對將相控陣天線技術應用于各種應用領域產(chǎn)生了濃厚的興趣。但是，受限于目前可用的IC，工程師無法讓相控陣天線成為現(xiàn)實。近期開發(fā)的IC芯片組成功解決了這一問題。半導體技術正朝著先進的硅IC方向發(fā)展，這讓我們可以將數(shù)字控制、存儲器和RF晶體管組合到同一個IC中。此外，氮化鎵 (GaN) 顯著提高了功率放大器的功率密度，可以幫助大幅減小占位面積。
相控陣技術
在行業(yè)向體積和重量更小的小型陣列轉變期間，IC起到了重大的推動作用。傳統(tǒng)的電路板結構基本使用小型PCB板，其上的電子元件垂直饋入天線PCB的背面。在過去的20年中，這種方法不斷改進，以持續(xù)減小電路板的尺寸，從而減小天線的深度。下一代設計從這種板結構轉向平板式方法，平板設計大大減小了天線的深度，使它們能更容易地裝入便攜應用或機載應用當中。要實現(xiàn)更小的尺寸，需要每個IC足夠程度的集成，以便將它們裝入天線背面。
在平面陣列設計中，天線背面可用于IC的空間受到天線元件間距的限制。舉例來說，在高達60°的掃描角度下，要防止出現(xiàn)光柵波瓣，最大天線元件間隔需要達到0.54 λ。圖1顯示了最大元件間距（英寸）和頻率的關系。隨著頻率提高，元件之間的間隔變得非常小，由此擠占了天線背后組件所需的空間。
圖1. 阻止在偏離瞄準線60°時產(chǎn)生光柵波瓣的天線元件間隔。
在圖2中，左圖展示了PCB頂部的金色貼片天線元件，右圖顯示了PCB底部的天線模擬前端。在這些設計中，在其他層上部署變頻級和分配網(wǎng)絡也是非常典型的。很明顯可以看出，采用更多集成IC可以大幅降低在所需空間內部署天線設計的難度。在我們將更多電子元件封裝到更小尺寸內，使得天線尺寸減小之后，我們需要采用新的半導體和封裝技術，讓解決方案變得可行。
圖2. 平面陣列，圖中所示為PCB頂部的天線貼片，IC則位于天線PCB的背面。
半導體技術和封裝
圖3中顯示了作為相控陣天線構建模塊的微波和毫米波 (mmW) IC組件。在波束成型部分，衰減器調整每個天線元件的功率電平，以減少天線方向圖中的柵瓣。移相器調整每個天線元件的相位以引導天線主波束，并且使用開關在發(fā)射器和接收器路徑之間切換。在前端IC部分，使用功率放大器來發(fā)射信號，使用低噪聲放大器來接收信號，最后，使用另一個開關在發(fā)射器和接收器之間進行切換。在過去的配置中，每個IC都作為獨立的封裝器件提供。更先進的解決方案使用集成單芯片單通道砷化鎵 (GaAs) IC來實現(xiàn)這一功能。對于大部分陣列，在波束成型器之前都配有無源RF組合器網(wǎng)絡、接收器/激勵器和信號處理器，這一點圖中未顯示。
圖3. 相控陣天線的典型RF前端。
相控陣天線技術近年來的普及離不開半導體技術發(fā)展的推動。SiGe BiCMOS、絕緣體上硅 (SOI) 和體CMOS中的高級節(jié)點將數(shù)字和RF電路合并到一起。這些IC可以執(zhí)行陣列中的數(shù)字任務，以及控制RF信號路徑，以實現(xiàn)所需的相位和幅度調整。如今，我們已經(jīng)可以實現(xiàn)多通道波束成型IC，此類IC可在4通道配置中調整增益和相位，最多可支持32個通道，可用于毫米波設計。在一些低功耗示例中，基于硅的IC有可能為上述所有功能提供單芯片解決方案。在高功率應用中，基于氮化鎵的功率放大器顯著提高了功率密度，可以安裝到相控陣天線的單元構件中。這些放大器傳統(tǒng)上一般使用基于行波管 (TWT) 的技術或基于相對低功耗的GaAs的IC。
在機載應用中，我們看到了平板架構日益盛行的趨勢，因為其同時具有GaN技術的功率附加效率 (PAE) 優(yōu)勢。GaN還使大型地基雷達能夠從由TWT驅動的碟形天線轉向由固態(tài)GaN IC驅動、基于相控陣的天線技術。我們目前能使用單芯片GaN IC，這類IC能提供超過100 W的功率，PAE超過50％。將這種效率水平與雷達應用的低占空比相結合，可以實現(xiàn)表貼解決方案，以散除外殼基座中產(chǎn)生的熱量。這些表貼式功率放大器大大減小了天線陣列的尺寸、重量和成本。在GaN的純功率能力以外，與現(xiàn)有GaAs IC解決方案相比的額外好處是尺寸減小了。舉例來說，相比基于GaAs的放大器，X波段上6 W至8 W的基于GaN的功率放大器占位面積可減少50％或以上。在將這些電子器件裝配到相控陣天線的單元構件中時，這種占位面積的減小有著顯著的意義。
封裝技術的發(fā)展也大大降低了平面天線架構的成本。高可靠性設計可能使用鍍金氣密外殼，芯片和線纜在其內部互連。這些外殼在極端環(huán)境下更堅固，但體積大，且成本高昂。多芯片模塊(MCM) 將多個MMIC器件和無源器件集成到成本相對較低的表貼封裝中。MCM仍然允許混合使用半導體技術，以便最大化每個器件的性能，同時大幅節(jié)省空間。例如，前端IC中可能包含PA、LNA和T/R開關。封裝基座中的熱通孔或固體銅廢料被用于散熱。為了節(jié)省成本，許多商業(yè)、防務和航空航天應用都開始使用成本更低的表貼封裝選項。
相控陣波束成型IC
集成式模擬波束成型IC一般被稱為核心芯片，旨在為包括雷達、衛(wèi)星通信和5G通信在內的廣泛應用提供支持。這些芯片的主要功能是準確設置每個通道的相對增益和相位，以在天線主波束所需的方向增加信號。該波束成型IC專為模擬相控陣應用或混合陣列架構而開發(fā)，混合陣列架構將一些數(shù)字波束成型技術與模擬波束成型技術結合起來。
ADAR1000 X-/Ku波段波束成型IC是一款4通道器件，覆蓋頻段為8 GHz至16 GHz，采用時分雙工 (TDD) 模式，其發(fā)射器和接收器集成在一個IC當中。在接收模式下，輸入信號通過四個接收通道并組合在通用RF_IO引腳中。在發(fā)射模式，RF_IO輸入信號被分解并通過四個發(fā)射通道。功能框圖如圖4所示。
圖4. ADAR1000功能框圖。
簡單的4線式串行端口接口 (SPI) 可以控制所有片內寄存器。兩個地址引腳可對同一串行線纜上的最多四個器件進行SPI控制。專用發(fā)射和接收引腳可同步同一陣列中的所有內核芯片，且單引腳可控制發(fā)射和接收模式之間的快速切換。這款4通道IC采用7 mm×7 mm QFN表貼封裝，可輕松集成到平板陣列當中。高度集成，再加上小型封裝，可以解決通道數(shù)量較多的相控陣架構中一些尺寸、重量和功率挑戰(zhàn)。此器件在發(fā)射模式下功耗僅為 240 mW/通道，在接收模式下功耗僅為160 mW/通道。
發(fā)射和接收通道直接可用，在外部設計上可以與前端IC配合使用。圖5顯示了器件的增益和相位圖。具有全360°相位覆蓋，可以實現(xiàn)小于2.8°的相位步長和優(yōu)于30 dB的增益調整。ADAR1000集成片上存儲器，可存儲多達121個波束狀態(tài)，其中一個狀態(tài)包含整個IC的所有相位和增益設置。發(fā)射器提供大約19 dB的增益和15 dBm的飽和功率，其中接收增益約為14 dB。另一個關鍵指標是增益設置內的相位變化，在20 dB范圍內約為3°。同樣，在整個360°相位覆蓋范圍內，相位的增益變化約為0.25 dB，緩解了校準難題。
圖5. ADAR1000發(fā)射增益/回波損耗和相位/增益控制，其中頻率 = 11.5 GHz。
前端IC ADTR1107是ADAR1000波束成型芯片的補充。ADTR1107是一款緊湊型的6 GHz至18 GHz前端IC，包含集成式功率放大器、低噪聲放大器 (LNA)，以及一個反射性的單刀雙擲 (SPDT) 開關。功能框圖如圖6所示。
圖6. ADTR1107功能框圖。
這款前端IC在發(fā)射狀態(tài)下提供25 dBm飽和輸出功率 (PSAT) 和22 dB小信號增益，在接收狀態(tài)下提供18 dB小信號增益和2.5 dB噪聲系數(shù)（包括T/R開關）。該器件配有雙向耦合器，用于檢測功率。輸入/輸出 (I/O) 內部匹配至50 Ω。ADTR1107采用5 mm × 5 mm、24引腳基板柵格陣列 (LGA) 封裝。ADTR1107的發(fā)射和接收增益及回波損耗如圖7所示。
圖7. ADTR1107的發(fā)射增益/回波損耗和接收增益/回波損耗。
ADTR1107專用于和ADAR1000輕松集成。接口原理圖見圖8。四個ADTR1107 IC由一個ADAR1000內核芯片驅動。出于簡單考慮，圖上只顯示其中一個ADTR1107 IC的連接。
圖8. 將ADTR1107前端IC與ADAR1000 X波段和Ku波段波束成型器連接。
ADAR1000提供所需的所有柵級偏置和控制信號，使其與前端IC無縫連接。雖然ADTR1107 LNA柵級電壓自偏置，我們也可以從ADAR1000控制電壓。ADTR1107功率放大器的柵級電壓也由ADAR1000 提供。由于1個ADAR1000驅動4個ADTR1107，所以偏置功率放大器電壓需要4個獨立的負極柵級電壓。每個電壓都由一個8位數(shù)模轉換器 (DAC) 設置。此電壓可由ADAR1000 TR輸入或串行外設接口寫入置位。置位ADAR1000 TR引腳會在接收和發(fā)射模式之間切換ADAR1000的極性。TR_SW_POS引腳可以驅動多達4個開關的柵級，且可用于控制ADTR1107 SPDT開關。
ADTR1107 CPLR_OUT耦合器輸出可以與4個ADAR1000 RF檢波器輸入（圖4中的DET1至DET4）中的一個回連，以測量發(fā)射輸出功率。這些基于二極管的RF檢波器的輸入范圍為?20 dBm至+10 dBm。ADTR1107定向耦合器的耦合系數(shù)從6 GHz時的28 dB到18 GHz時的18 dB。
可以通過ADAR1000驅動的柵級電壓實現(xiàn)ADTR1107脈沖，同時保持漏極恒定。相比通過漏極脈沖，這種方法更優(yōu)化，因為這會用到高功率MOSFET開關和柵級驅動器器件與柵級開關，后者采用低電流。還應注意，在發(fā)射模式下ADAR1000提供足夠功率會令ADTR1107飽和，在天線短路時ADTR1107可以承受總反射功率。
在發(fā)射和接收模式下，ADTR1107和ADAR1000在8 GHz至16 GHz頻率范圍內的組合性能如圖9所示。在發(fā)射模式下，它們提供約40 dB增益和26 dBm飽和功率，在接收模式下，則提供約2.9 dB噪聲系數(shù)和25 dB增益。
圖9. 與ADAR1000（單通道）耦合的ADTR1107的發(fā)射和接收性能。
圖10所示為4個ADAR1000芯片驅動16個ADTR1107芯片。簡單的四線式SPI控制所有片內寄存器。兩個地址引腳可對同一串行線纜上的最多四個ADAR1000芯片進行SPI控制。專用發(fā)射和接收負載引腳也可同步同一陣列中的所有內核芯片，且單引腳可控制發(fā)射和接收模式之間的快速切換。
圖10. 4個ADAR1000芯片驅動16個ADTR1107芯片。
收發(fā)器芯片組和其他配套產(chǎn)品
高度集成的射頻收發(fā)器芯片可以提升天線層面的集成。ADRV9009 就是這種芯片一個很好的例子。它提供雙發(fā)射器和接收器、集成式頻率合成器和數(shù)字信號處理功能。該器件采用先進的直接轉換接收器，具有高動態(tài)范圍、寬帶寬、錯誤校準和數(shù)字濾波功能。還集成了多種輔助功能，比如模數(shù)轉換器 (ADC) 和數(shù)模轉換器 (DAC)，以及用于功率放大器的通用輸入/輸出以及RF前端控制。高性能鎖相環(huán)可同時針對發(fā)射器和接收器信號路徑提供小數(shù)N分頻RF頻率合成。它提供極低功耗和全面的關斷模式，以在不使用時進一步省電。ADRV9009采用12 mm × 12 mm、196引腳芯片級球柵陣列封裝。
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（來源：亞德諾半導體）
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