繼電器觸點(diǎn)有多種金屬和合金、尺寸及樣式。沒(méi)有通用的觸點(diǎn)。繼電器用戶應(yīng)盡可能精確地選擇滿足特定應(yīng)用要求的觸點(diǎn)材料、額定值和樣式。否則可能導(dǎo)致觸點(diǎn)問(wèn)題，甚至縮短觸點(diǎn)壽命。
例如，某些觸點(diǎn)材料需要電弧來(lái)防止硫化、氧化和污染。對(duì)干式或低電平電路中的觸點(diǎn)使用此類材料會(huì)導(dǎo)致觸點(diǎn)無(wú)法以電氣方式閉合電路（即使它們能夠以物理方式接通）。這具有欺騙性，觸點(diǎn)可能看起來(lái)很干凈，但事實(shí)并非如此。實(shí)際上，觸點(diǎn)表面有一層非常薄的絕緣硫化、氧化或污染膜。必須去除這層薄膜，才能建立電路連續(xù)性，而電弧可以實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)。（對(duì)于干式和低電平電路，應(yīng)使用分叉觸點(diǎn)。）
應(yīng)用注意事項(xiàng)
在某些應(yīng)用中，觸點(diǎn)可能受到嚴(yán)重的電流浪涌沖擊，從而大大縮短其壽命。以一盞白熾燈為例。一盞 40 瓦特 120 VAC 燈的額定電流為 0.33 安培。然而，當(dāng)天氣寒冷時(shí)，燈絲的電阻非常低，導(dǎo)致初始浪涌電流可能高達(dá) 6 安培！假如要用 2 安培的觸點(diǎn)嘗試開(kāi)關(guān) 40 瓦特的燈，將導(dǎo)致觸點(diǎn)過(guò)早失效。
在電機(jī)和變壓器應(yīng)用中，以及存在顯著分布式線路電容的應(yīng)用中，也存在同樣的情況。在啟動(dòng)過(guò)程中，電機(jī)可以吸引 600% 或更多運(yùn)行電流。因此，3 安培電機(jī)在啟動(dòng)過(guò)程中實(shí)際上會(huì)吸收 18 安培或更多電流。應(yīng)使用額定電流至少為 20 安培的觸點(diǎn)。此外，當(dāng)斷開(kāi)連接時(shí)，電機(jī)會(huì)在減速至停止的過(guò)程中充當(dāng)電壓發(fā)生器。根據(jù)電機(jī)的不同，它可以反饋到電路電壓中，使電壓遠(yuǎn)超額定的線路電壓。這些出現(xiàn)在分離觸點(diǎn)之間的電壓會(huì)導(dǎo)致觸點(diǎn)之間存在破壞性電弧，從而導(dǎo)致觸點(diǎn)過(guò)早失效。因此，建議進(jìn)行消弧。（本應(yīng)用說(shuō)明稍后部分將討論消弧技術(shù)。）
變壓器會(huì)呈現(xiàn)一個(gè)不尋常的陷阱，讓毫無(wú)戒心的繼電器用戶陷入其中。當(dāng)變壓器斷電時(shí)，其鐵芯可能包含剩磁。如果在電壓與剩磁的極性相同時(shí)重新加電，則鐵芯在重新加電的前半周期內(nèi)可能會(huì)達(dá)到飽和。因此，電感將最小，大約 1,000% 的電涌電流可能會(huì)存在幾個(gè)周期，直到鐵芯脫離飽和為止。更糟的是，如果在零電壓或接近零電壓時(shí)重新加電，并且不斷增大的電壓促進(jìn)了剩磁，則鐵芯和氣隙可能會(huì)飽和。可能會(huì)產(chǎn)生 4,000% 或更多浪涌！此外，與電機(jī)負(fù)載一樣，當(dāng)變壓器斷電時(shí)，變壓器將產(chǎn)生一個(gè)反電壓，從而導(dǎo)致分離觸點(diǎn)之間存在破壞性電弧。
分布式線路電容為繼電器及其觸點(diǎn)帶來(lái)了特殊問(wèn)題。當(dāng)繼電器與要開(kāi)關(guān)的負(fù)載相距較遠(yuǎn)時(shí)，將發(fā)生這種情況。觸點(diǎn)閉合的瞬間，分布式線路電容在負(fù)載電流通過(guò)之前充電。此電容可以顯示為觸點(diǎn)的初始短路，并可吸引遠(yuǎn)超負(fù)載電流的電流。在選擇繼電器以在分布式線路電容可能較大時(shí)開(kāi)關(guān)電路之前，應(yīng)測(cè)量瞬時(shí)浪涌電流，并相應(yīng)地選擇觸點(diǎn)。
觸點(diǎn)材料
純銀
在所有金屬中，純銀具有很高的電學(xué)和熱學(xué)性能。它是非常好的通用材料。然而，它會(huì)受到硫化的影響。大都市區(qū)室內(nèi)的硫化速率約為每天每平方厘米 70 微克。這種硫化會(huì)在銀表面形成薄膜，從而增加觸點(diǎn)接口電阻。
因?yàn)殂y和銀合金會(huì)硫化，接觸壓力必須足夠大，才能穿透這層薄膜。（受控電弧也會(huì)有所幫助，因?yàn)樗鼤?huì)燒掉硫化物，并且觸點(diǎn)超程會(huì)擦去殘留物。）雖然這種壓力對(duì)銀鎘觸點(diǎn)沒(méi)有明顯的影響，但它們確實(shí)會(huì)加劇純銀觸點(diǎn)材料的磨損。此外，由于硫化物膜的緣故，純銀觸點(diǎn)可能會(huì)產(chǎn)生零點(diǎn)幾伏特的接口電壓。眾所周知，這層薄膜可以吸附并包埋空氣中的污垢。穿透這層薄膜會(huì)產(chǎn)生電氣噪聲。因此，純銀觸點(diǎn)不用于低電平開(kāi)關(guān)，如音頻電路。相反，純銀和銀合金觸點(diǎn)用于 12 伏特、0.4 安培或更大電流的電路。
鍍金的銀
對(duì)于在初始操作前必須長(zhǎng)時(shí)間處于怠速狀態(tài)的繼電器，銀觸點(diǎn)硫化會(huì)產(chǎn)生非常大的觸點(diǎn)接口電阻。對(duì)于此類應(yīng)用，應(yīng)指定鍍金的銀觸點(diǎn)，而不是指定銀觸點(diǎn)。每個(gè)觸點(diǎn)上的鍍金可以盡可能降低硫化，并在接觸時(shí)提供良好的電氣性能。由于黃金的沸點(diǎn)溫度較低，如果超過(guò)弧電壓和電流，只需幾個(gè)開(kāi)關(guān)周期，鍍金就會(huì)燒掉。然后，銀襯底暴露在外，可能會(huì)形成一層硫化物膜。除非可以容忍這種情況，否則鍍金觸點(diǎn)不應(yīng)產(chǎn)生電弧。
鍍金層
用于干式和低電平電路的常見(jiàn)觸點(diǎn)采用鍍金層。鍍金層要有足夠的厚度，除非受到電弧條件的影響，否則不應(yīng)磨穿至露出基底金屬。
銀鎳
根據(jù)應(yīng)用的不同，純銀觸點(diǎn)的材料轉(zhuǎn)移可能相當(dāng)普遍。通常，材料往往積聚在一個(gè)觸點(diǎn)的中心，而另一個(gè)觸點(diǎn)上的材料損耗會(huì)留下一個(gè)洞或“坑”。這種點(diǎn)蝕可能會(huì)導(dǎo)致觸點(diǎn)過(guò)早失效。在此類應(yīng)用中，建議使用細(xì)晶粒銀觸點(diǎn)。這些觸點(diǎn)與 0.15% 的鎳形成合金，使觸點(diǎn)具有細(xì)粒結(jié)構(gòu)。因此，材料轉(zhuǎn)移均勻分布于觸點(diǎn)的整個(gè)表面，確保觸點(diǎn)壽命更長(zhǎng)。
銀氧化鎘
長(zhǎng)期以來(lái)，銀氧化鎘觸點(diǎn)一直用于開(kāi)關(guān)產(chǎn)生高能電弧的負(fù)載。銀氧化鎘觸點(diǎn)的導(dǎo)電性低于純銀觸點(diǎn)，但對(duì)材料轉(zhuǎn)移和因電弧造成的材料損耗具有優(yōu)異的抵抗能力。它們確實(shí)在配對(duì)觸點(diǎn)之間表現(xiàn)出更大的接口電阻，并且觸點(diǎn)配件的熱量也會(huì)略微升高。銀氧化鎘的最小額定弧電壓為 10 伏特，與純銀觸點(diǎn)一樣，這種合金中的銀會(huì)氧化和硫化。因此，電弧是保持這些觸點(diǎn)清潔的必要條件。
銀氧化銦錫
銀氧化銦錫觸點(diǎn)雖然不易獲得，但比銀氧化鎘觸點(diǎn)具有更好的抗電弧侵蝕和焊接性能。不過(guò)，它們的導(dǎo)電性甚至更差，而且比銀氧化鎘觸點(diǎn)更堅(jiān)硬。它們?cè)谂鋵?duì)觸點(diǎn)之間具有更大的接口電阻，因此電壓降和熱量上升幅度更大。目前，銀氧化銦錫比銀氧化鎘更昂貴，許多繼電器用戶僅將其用于白熾燈負(fù)載和電容器等在觸點(diǎn)彈跳過(guò)程中存在大量浪涌電流的應(yīng)用。對(duì)于中低功率電阻和電感負(fù)載，銀氧化鎘仍然很常用，是 Siemens Electromechanical Components (SEC) 的推薦材料。對(duì)于理應(yīng)使用銀氧化銦錫的應(yīng)用，請(qǐng)聯(lián)系 SEC 應(yīng)用工程部。
銀銅鎳
銀銅鎳觸點(diǎn)適用于高浪涌直流應(yīng)用，如白熾燈和電容負(fù)載。這些觸點(diǎn)具有良好的抗焊接性。
金銀鎳合金
金銀鎳合金觸點(diǎn)用于開(kāi)關(guān)通常小于 1 安培的負(fù)載，其特點(diǎn)是接通和斷開(kāi)時(shí)的電氣噪聲小于純銀觸點(diǎn)。鍍金的銀觸點(diǎn)具有與金銀鎳合金相似的特性，但價(jià)格較低。
鈀
鈀觸點(diǎn)不會(huì)硫化或氧化，因此具有極低的電氣噪聲水平。其預(yù)期電氣壽命約為純銀觸點(diǎn)的 10 倍。然而，由于電導(dǎo)率相對(duì)較差，負(fù)載電流被限制在 5 安培左右。
鈀觸點(diǎn)需要 0.006" 至 0.012" 的超程來(lái)確保良好的滑觸作用。因此，它們主要用于電話式繼電器，即觸點(diǎn)臂與線圈長(zhǎng)度平行并且易于獲取這種超程的繼電器。此外，應(yīng)將鈀觸點(diǎn)分叉，以幫助確保觸點(diǎn)閉合時(shí)的電路連續(xù)性。
鎢
鎢觸點(diǎn)適用于高壓應(yīng)用，這種應(yīng)用通常需要高度重復(fù)的開(kāi)關(guān)操作。鎢的熔化溫度為 3,380oC，具有極好的抗電弧腐蝕性能。
鎢可能會(huì)形成麻煩的氧化膜，尤其在某些直流應(yīng)用中用作陽(yáng)極觸點(diǎn)時(shí)。因此，鎢常用作陰極觸點(diǎn)，而鈀合金則用作陽(yáng)極觸點(diǎn)。這種組合還盡可能減小了觸點(diǎn)接口電阻并減少了材料轉(zhuǎn)移。
汞
汞的熔化溫度為 -38.87oC。因此，它在繼電器中使用時(shí)呈液態(tài)。汞將粘附在任何清潔金屬的表面，并用作水銀濕簧繼電器中的觸點(diǎn)。它具有良好的導(dǎo)電率，并且呈液態(tài)，觸點(diǎn)與觸點(diǎn)之間沒(méi)有材料轉(zhuǎn)移堆積。事實(shí)上，當(dāng)觸點(diǎn)打開(kāi)且汞返回至繼電器底部的池中時(shí)，新鮮汞就會(huì)在下次開(kāi)關(guān)操作中占據(jù)它的位置，因此任何此類材料的轉(zhuǎn)移都無(wú)法實(shí)現(xiàn)。汞的沸騰溫度為 357oC。因此，汞觸點(diǎn)不能開(kāi)關(guān)超過(guò)幾安培的電流。
觸點(diǎn)壽命
通用和電源繼電器的預(yù)期電氣壽命額定值一般為最少 100,000 次操作，而預(yù)期機(jī)械壽命可能為 100 萬(wàn)、1,000 萬(wàn)甚至 1 億次操作。
與機(jī)械壽命相比，電氣壽命額定值如此之低的原因是觸點(diǎn)壽命取決于應(yīng)用。電氣額定值適用于開(kāi)關(guān)額定負(fù)載的觸點(diǎn)。當(dāng)一組觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)低于額定值的負(fù)載時(shí)，觸點(diǎn)壽命可能會(huì)顯著延長(zhǎng)。例如，25 安培、240 VAC、80% P.F. 的觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)一個(gè) 25 安培負(fù)載時(shí)，預(yù)期可執(zhí)行超過(guò) 100,000 次操作。但是，如果這些觸點(diǎn)用于開(kāi)關(guān) 5 安培、120 VAC 的電阻負(fù)載，則壽命可能超過(guò) 100 萬(wàn)次。額定電氣壽命還考慮了觸點(diǎn)的電弧破壞。通過(guò)使用適當(dāng)?shù)南。|點(diǎn)壽命可能會(huì)延長(zhǎng)。表 1 列出了幾種不同金屬的一些弧電壓和電流值。如果超過(guò)最小弧電壓和電流，則電弧將點(diǎn)燃。但是，如果給定最小弧電壓下的負(fù)載電流小于該電壓的最小弧電流，則不會(huì)產(chǎn)生電弧。同樣，如果負(fù)載電壓（或反電勢(shì)）小于觸點(diǎn)金屬的最小弧電壓，則不會(huì)產(chǎn)生電弧。如前所述，為了燒掉觸點(diǎn)上的任何硫化、氧化或污染物，可能需要電弧。然而，電弧本質(zhì)上具有破壞性。為了盡可能延長(zhǎng)觸點(diǎn)壽命，一旦電弧點(diǎn)燃，應(yīng)盡快消弧。可以使用本應(yīng)用說(shuō)明中介紹的技術(shù)完成此類消弧。
表 1 各種觸點(diǎn)材料的特性
當(dāng)電壓和電流值低于點(diǎn)燃電弧所需的電壓和電流值時(shí)，分離的觸點(diǎn)之間可能會(huì)產(chǎn)生火花。這種火花是電容放電，與電弧相比較弱。即便如此，這種火花可能足以防止觸點(diǎn)上堆積硫化、氧化和污染物。（注意：消弧對(duì)觸點(diǎn)火花幾乎沒(méi)有影響。）
當(dāng)觸點(diǎn)粘住或焊接時(shí)，或者當(dāng)一個(gè)或兩個(gè)觸點(diǎn)損耗過(guò)多材料并且無(wú)法實(shí)現(xiàn)良好的電氣性能時(shí)，觸點(diǎn)壽命就會(huì)終止。這些條件是連續(xù)開(kāi)關(guān)操作期間累積材料轉(zhuǎn)移的結(jié)果，以及飛濺造成材料損耗的結(jié)果。
材料轉(zhuǎn)移和材料損耗
材料轉(zhuǎn)移是由 I2 R 熱量引起。當(dāng)開(kāi)關(guān)觸點(diǎn)開(kāi)始分離時(shí)，觸點(diǎn)面積將減小。流經(jīng)這個(gè)越來(lái)越狹窄的區(qū)域的負(fù)載電流會(huì)產(chǎn)生熱量，導(dǎo)致觸點(diǎn)材料熔化，然后沸騰。液化金屬往往聚集在陰極觸點(diǎn)上，因?yàn)樵撚|點(diǎn)比陽(yáng)極觸點(diǎn)的溫度更低。電弧期間也會(huì)發(fā)生材料轉(zhuǎn)移。但在此條件下，材料從陰極轉(zhuǎn)移到陽(yáng)極 - 轉(zhuǎn)移量取決于電弧的嚴(yán)重程度和持續(xù)時(shí)間，以及所用觸點(diǎn)材料的類型。由于觸點(diǎn)材料首先朝一個(gè)方向轉(zhuǎn)移，然后反向轉(zhuǎn)移，因此理想的消弧技術(shù)是在陽(yáng)極恢復(fù)起弧前所有丟失到陰極的材料時(shí)進(jìn)行電弧淬火。然而，哪怕只是嘗試，也不切實(shí)際。
材料損耗主要是由于觸點(diǎn)在接通時(shí)彈跳而使熔融和沸騰的金屬飛濺所致。在數(shù)以萬(wàn)計(jì)的操作過(guò)程中，這種損耗可能非常顯著，而盡可能減小損耗的唯一可行方法就是消弧。消弧可快速淬火電弧，從而保持觸點(diǎn)溫度較低。
在直流應(yīng)用中，金屬遷移是可預(yù)測(cè)的，因?yàn)橐粋€(gè)觸點(diǎn)總為負(fù)，另一個(gè)觸點(diǎn)總為正。在隨機(jī)開(kāi)關(guān)的交流應(yīng)用中，當(dāng)發(fā)生電弧時(shí)，任一觸點(diǎn)都可能為負(fù)或?yàn)檎Ｃ看未蜷_(kāi)開(kāi)關(guān)時(shí)，遷移方向都不會(huì)相同，并且任一觸點(diǎn)的材料損耗不能太明顯，除非負(fù)載條件導(dǎo)致飛濺。
然而，并非所有交流應(yīng)用都包含隨機(jī)開(kāi)關(guān)。在某些應(yīng)用中，繼電器以設(shè)定的速率或頻率運(yùn)行。在這種情況下，觸點(diǎn)在正弦波的同一近似點(diǎn)處斷開(kāi)負(fù)載電流。也就是說(shuō)，在觸點(diǎn)分離瞬間，同一個(gè)觸點(diǎn)始終為正，而另一個(gè)觸點(diǎn)始終為負(fù)。電弧期間的材料始終朝同一方向轉(zhuǎn)移。在此類應(yīng)用中，可能需要進(jìn)行觸點(diǎn)消弧。
這并不是說(shuō)隨機(jī)開(kāi)關(guān)交流應(yīng)用不需要消弧。相反，消弧有助于控制熔融金屬飛濺導(dǎo)致的觸點(diǎn)材料損耗。也就是說(shuō)，當(dāng)消弧時(shí)，觸點(diǎn)溫度保持很低水平。
持續(xù)時(shí)間短的受控電弧有利于實(shí)際實(shí)現(xiàn)觸點(diǎn)的額定壽命。如前所述，這是因?yàn)檫@種電弧可燒掉觸點(diǎn)上可能阻止電氣連接的任何沉積物。這種控制通過(guò)消弧實(shí)現(xiàn)。除非電弧和/或觸點(diǎn)超程清潔觸點(diǎn)，否則觸點(diǎn)表面可能會(huì)形成薄膜，或者吸附異物。因此，建議僅在負(fù)載電壓（或反電勢(shì)）和電流超過(guò)這些觸點(diǎn)的弧電壓和電流額定值的應(yīng)用中使用通用和電源繼電器。
觸點(diǎn)保護(hù)
在分離的觸點(diǎn)之間進(jìn)行電弧淬火的常用方法也許是直接在觸點(diǎn)之間放置 R-C 網(wǎng)絡(luò)。當(dāng)觸點(diǎn)剛剛開(kāi)始分離且電弧點(diǎn)燃時(shí)，饋入電弧的負(fù)載電流將通過(guò)串聯(lián)電阻分流到電容器中，使電弧失去部分能量。因此，電弧持續(xù)時(shí)間將縮短，材料損耗將降至很低水平。
圖 1 觸點(diǎn)保護(hù)示意圖
從理論上講，理想的消弧方法就是直接在觸點(diǎn)之間放置電容器。但是，由于電路中沒(méi)有電阻器，當(dāng)觸點(diǎn)接通時(shí)，沒(méi)有什么可以限制電容器的放電電流。這種幾乎瞬時(shí)的放電電流會(huì)產(chǎn)生短暫但嚴(yán)重的電弧，根據(jù)觸點(diǎn)材料和特性，可能會(huì)導(dǎo)致焊接觸點(diǎn)。因此，需要使用電阻器來(lái)限制電容器的放電電流。但是，這樣做有一個(gè)缺點(diǎn)。那就是，電阻器往往會(huì)將電容器與電容器應(yīng)保護(hù)的觸點(diǎn)隔離開(kāi)來(lái)。因此，電阻量應(yīng)盡可能小。
許多繼電器用戶不熟悉為電弧淬火服務(wù)選擇電容器的流程。首先，交流與直流不同，交流在 60 赫茲的服務(wù)中每秒過(guò)零 120 次，而直流當(dāng)然是連續(xù)電流。在交流服務(wù)中，電容器不需要像直流服務(wù)那樣大，因?yàn)榻涣麟娀⒃诹憬辉近c(diǎn)處熄滅。在直流服務(wù)中，電容器必須繼續(xù)將負(fù)載電流從觸點(diǎn)中分流，直到觸點(diǎn)相距足夠遠(yuǎn)以使電弧熄滅為止。
電容器選擇
假設(shè)有一個(gè) 28 伏特、5 安培的直流應(yīng)用。進(jìn)一步假設(shè)需要一個(gè) R-C 網(wǎng)絡(luò)，在觸點(diǎn)分離后，將產(chǎn)生大約 15 伏特 1 微秒的觸點(diǎn)電壓。由于電阻值應(yīng)盡可能小，可以選擇 2 歐姆電阻器。在 2 歐姆時(shí)，峰值電容器放電電流在零時(shí)為 14 安培。根據(jù)觸點(diǎn)材料和尺寸，在如此短的時(shí)間內(nèi)，這 14 安培也許完全可以接受。
在任何給定時(shí)刻，觸點(diǎn)電壓（即，弧電壓）就是電阻器電壓降和電容器電壓的總和。選擇一個(gè)電容器電壓，比如 10 伏特。剩余的 18 伏特電壓必須出現(xiàn)在 5.6 歐姆負(fù)載和 2 歐姆電阻器上。因此，瞬時(shí)電容器電流是：
2 歐姆電阻器的電壓降為 4.8 伏特。因此，觸點(diǎn)分離后一微秒時(shí)的弧電壓為 4.8V + 10V = 14.8V，或約為電源電壓的 53%。
要確定所需的電容大小，可以使用電容器電壓的基本方程：
ec = E(1 - ε -t/RC)
重新排列方程以求解電容，得出 1.1 μfd。
其中：
t = 1 微秒。
ec = 10 伏特 = 在時(shí)間 t 時(shí)的電容器電壓。
E = 28 伏特（對(duì)于交流，請(qǐng)使用峰值）。
R = 2.0 歐姆。
下一個(gè)問(wèn)題涉及電容器結(jié)構(gòu)。電容器能否承受放電浪涌電流？當(dāng)觸點(diǎn)閉合時(shí)，電容器將通過(guò)電阻器放電。對(duì)于 1 μfd 電容器和 2 歐姆電阻，時(shí)間常量為：R x C = 2 x 1 μfd= 2.0 微秒。
要確定放電 di/dt：
其中：.63 是在一個(gè)時(shí)間常量為 2.0 微秒期間的電容器電壓損耗。
該 di/dt 不是很嚴(yán)重，很多電容器應(yīng)該都能承受。但是，5 安培 240 VAC 應(yīng)用的 di/dt 在交流線路峰值（即 340 伏特）時(shí)為 107A/μsec.；應(yīng)據(jù)此相應(yīng)地選擇電容器*。
當(dāng)然，可以通過(guò)更大的電阻值來(lái)降低 di/dt，以進(jìn)一步限制電容器的放電電流。但是，電阻值越大，電容器對(duì)電弧的影響就越小。
其他消弧方法
對(duì)于某些應(yīng)用中的淬火直流電弧，使用繼電器時(shí)可以在靠近觸點(diǎn)處放置一個(gè)永磁體。磁體排斥直流電弧，從而拉伸電弧，使其迅速熄滅。
某些繼電器用戶在感應(yīng)負(fù)載上連接一個(gè)二極管，以防止反電壓到達(dá)觸點(diǎn)。當(dāng)繼電器觸點(diǎn)打開(kāi)時(shí)，電感的存儲(chǔ)能量通過(guò)二極管循環(huán)，而不是通過(guò)電弧循環(huán)。雖然這是一種可接受的保護(hù)觸點(diǎn)的方法，但確實(shí)會(huì)導(dǎo)致電感負(fù)載的保持時(shí)間延長(zhǎng)。對(duì)于不能容忍保持時(shí)間延長(zhǎng)的應(yīng)用，可放置一個(gè)電阻器與二極管串聯(lián)。但是，電阻器會(huì)降低二極管的有效性，而且通常必須通過(guò)反復(fù)試驗(yàn)才能達(dá)成妥協(xié)。
通過(guò)使用齊納二極管代替電阻器，可大幅縮短保持時(shí)間。這是因?yàn)樵诳邕^(guò)二極管的電壓等于其電壓降總和之前，二極管不能打開(kāi)。
在一些電路中，空間非常寶貴，可能沒(méi)有足夠的空間放置齊納二極管和普通二極管。在此類電路中，一些設(shè)計(jì)人員使用金屬氧化物變阻器。MOV 的運(yùn)行方式類似于背對(duì)背齊納二極管。而且，由于 MOV 是雙向器件，因此既可用于交流電路，也可用于直流電路。
消弧還有一個(gè)好處是盡可能降低了 EMI。觸點(diǎn)之間若未消弧，將相當(dāng)于一個(gè)“出色”的噪聲發(fā)生器。這種噪聲對(duì)電路中或射頻干擾 (RFI) 場(chǎng)內(nèi)的敏感元件會(huì)造成麻煩。在嚴(yán)苛的條件下，EMI 可能會(huì)導(dǎo)致 IC 邏輯門、SSCR 和三端雙向可控硅元件不必要地打開(kāi)，并可能導(dǎo)致其他半導(dǎo)體器件損壞。
*建議的電容器類型為金屬化箔和薄膜箔。查看電容器規(guī)格的 dv/dt 和 di/dt 額定值。
注釋
在指定繼電器之前，測(cè)量要開(kāi)關(guān)的電路的電流浪涌。
切勿并聯(lián)繼電器觸點(diǎn)以使觸點(diǎn)額定值加倍。除非繼電器經(jīng)過(guò)特別調(diào)整，否則它們不會(huì)同時(shí)吸合和釋放。即使要進(jìn)行特別調(diào)整，也不用在整個(gè)生命周期內(nèi)保持這種調(diào)整。
將 Form C 觸點(diǎn)并聯(lián)可能會(huì)導(dǎo)致不必要的先通后斷排列方式。低電平額定電流為 2 安培的觸點(diǎn)可用于開(kāi)關(guān) 2 安培負(fù)載。但是，一旦這樣做，它們就不能用于可靠地開(kāi)關(guān)低電平負(fù)載。
在包含一系列打開(kāi)繼電器觸點(diǎn)（AND 邏輯）的電路中，除最后一組要閉合的觸點(diǎn)外，所有觸點(diǎn)都將保持干燥。同樣，在包含一系列閉合觸點(diǎn)的電路中，除第一個(gè)要打開(kāi)的觸點(diǎn)外，所有觸點(diǎn)都將保持干燥。
總電路觸點(diǎn)電阻可能會(huì)限制串聯(lián)使用許多繼電器觸點(diǎn)。
吸引電容式浪涌電流或產(chǎn)生電感反電勢(shì)的“低電平”電路不是低電平。決定觸點(diǎn)額定值的是嚴(yán)苛情況下的電路條件，而不是穩(wěn)態(tài)條件。
