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存儲器

單片機數據存儲器的拓寬

發布日期:2022-10-09 點擊率:63


一、常用的靜態RAM芯片

如今,常用的SRAM芯片有6116()、6264(8K×8)、62128(16K×8)、62256(32K×8)等。

1.6116

6116芯片為24引腳雙列直插封裝,容量為2K×8位。如圖1。其管腳圖見3(a)。其間A0~A10為地址線,為寫選通訊號,D0~D7為數據線,Vcc標明電源(十5V),是片選信號,低電平有用,GND接地,為數據輸出容許信號。


圖1 6116芯片



圖2 6116和6264的引腳圖


2.6264

6264是8K×8位的靜態RAM,它選用CMOS技能制作,單一+5V供電,額外功耗200mW,典型讀取時刻200ns,封裝辦法為DIP28,其管腳圖如圖2(b)所示。其間A0~A12為地址輸入線,D0~D7為三態雙向數據線,是片選信號輸入線,低電平有用,是讀選通訊號輸入線,低電平有用,是寫選通訊號輸入線,低電平有用。

二、數據存儲器拓寬舉例

拓寬數據存儲器和拓寬程序存儲器的辦法類似,由P2口供應高8位地址,P0口分時供應低8位地址和8位數據總線。拜訪片外數據存儲器的指令有:

MOVX A,@Ri

MOVX A,@DPTR

MOVX @Ri,A

MOVX @DPTR,A

例剖析下面電路圖中2塊6264芯片的根柢地址計劃。


圖3 用2片RAM6264的拓寬電路


解:此電路圖是由2塊6264芯片,在片外拓寬16K個單元數據存儲器的拓寬電路。接P1.7引腳來進行片選。6264(1)和6264(2)的編址都是8KB,根柢地址計劃都自0000H到1FFFH(假定未用地址線取0),因為它們所接的地址完全相同。

2764A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1A0

最高地址 XX  X 0 0  0  0 0  0 0  0 0  0 000

最低地址 XX  X  1  1  1 1 1  1 1  1 1  1 111


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