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【導(dǎo)讀】英飛凌科技股份有限公司擴(kuò)展其第三代逆導(dǎo) （RC） 軟切換絕緣閘雙極性電晶體 （IGBT） 產(chǎn)品系列，推出 30A和40A電流的1200V 和1350V型產(chǎn)品，以因應(yīng)市場(chǎng)對(duì)高可靠性的持續(xù)需求。

英飛凌擁有備受市場(chǎng)肯定，極適合電磁爐應(yīng)用的諧振切換 IGBT 技術(shù)。第三代的 IGBT 經(jīng)最佳化，切換損失和導(dǎo)通損失更低，提供1100V、1200V和1350V中業(yè)界最佳的效率。

相較于第二代 RC IGBT，英飛凌新一代產(chǎn)品能減少 20% 的切換損失，在應(yīng)用測(cè)試期間將箱體溫度降低5度。切換損耗降低，進(jìn)而能夠減少裝置熱應(yīng)力、延長(zhǎng)產(chǎn)品使用壽命并提高可靠性。軟切換操作所帶來的高效率、優(yōu)異的散熱效能和 EMI 特性，使其成為市場(chǎng)上最適合用于電磁爐、太陽能和其他諧振切換應(yīng)用的 IGBT 產(chǎn)品。
 

英飛凌擴(kuò)展第三代逆導(dǎo)IGBT產(chǎn)品組合" src="http://data.51spec.com:88/51spec/202009/27/173256371.jpg" height="375" width="500"/>
圖題：英飛凌擴(kuò)展第三代逆導(dǎo)IGBT產(chǎn)品組合 

產(chǎn)品系列加入 1350V 的 30A 和 40A 型產(chǎn)品，讓設(shè)計(jì)人員擁有更高崩潰電壓和電流耐受能力的元件可運(yùn)用，于單端拓樸架構(gòu)電路下開發(fā)出更高額定功率的設(shè)計(jì)，例如最高可達(dá)到 3.6kW 的產(chǎn)品。
　　
此外，1350V 崩潰電壓的 30A 和 40A 型產(chǎn)品也能在突波狀況下擴(kuò)大安全操作區(qū)域 （SOA）并提高過電流額定值，讓設(shè)計(jì)人員設(shè)計(jì)出更堅(jiān)固可靠的產(chǎn)品。
　　
英飛凌科技 IGBT分離式功率元件行銷協(xié)理 Roland Stele 表示：“第三代產(chǎn)品因應(yīng)電源開關(guān)特定應(yīng)用的需求日益攀升，提供最佳的價(jià)格性能比，滿足目標(biāo)應(yīng)用的特殊需求。全新第叁代 RC IGBT 擴(kuò)展了產(chǎn)品系列，為更高的系統(tǒng)效率、更優(yōu)異的可靠性和更高的功率密度開創(chuàng)新趨勢(shì)。除了擁有優(yōu)異效能，同時(shí)也變得更加堅(jiān)固耐用。”
　　
產(chǎn)品系列完整涵蓋 1200V 和 1350V 的 15/20/30/40A 產(chǎn)品，可讓設(shè)計(jì)人員針對(duì)自己的特殊應(yīng)用，選出擁有業(yè)界最佳效率和最完善功能的 IGBT 產(chǎn)品。設(shè)計(jì)彈性化，加上擁有最佳效能，進(jìn)而能夠簡(jiǎn)化開發(fā)流程，縮短開發(fā)時(shí)間。
　　
所有的第三代逆導(dǎo) IGBT 產(chǎn)品均能在高達(dá) 175°C 的接面溫度下操作。15A 1200V 裝置和 40A 1350V 裝置的飽和電壓 VCE（sat） 值范圍從 1.80V 至 2.10V（在 Tj=175°C 條件下）。低關(guān)閉軟切換損失可確保維持高效率運(yùn)作。在 dv/dt=150.0V/μs 和 Tj=175°C 條件下，15A 1200V IGBT 裝置之切換損失為 0.15mJ，40A 1350V 裝置則為 1.07mJ。
　　
第三代逆導(dǎo) IGBT 產(chǎn)品系列提供 15A、20A、30A 和 40A 電流規(guī)格以及 1200V 和 1350V 崩潰電壓，另外也有 30A 1100V產(chǎn)品。產(chǎn)品即將進(jìn)行量產(chǎn)。