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科普知識(shí)
數(shù)據(jù)分類:
單路平板開關(guān)電源

小功率無(wú)壓敏開關(guān)電源系統(tǒng)的浪涌設(shè)計(jì)及實(shí)際測(cè)試

發(fā)布日期:2022-04-18 點(diǎn)擊率:67

在我們很多工業(yè)及消費(fèi)類電子產(chǎn)品應(yīng)用中,使用開關(guān)電源系統(tǒng)供電可以減小體積,對(duì)于電源的輸出負(fù)載主要是繼電器及MCU等簡(jiǎn)單的控制系統(tǒng),追求小體積電源系統(tǒng)簡(jiǎn)單可靠在應(yīng)用中越來(lái)越廣泛。特別是物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品的應(yīng)用,同時(shí)開關(guān)電源供電系統(tǒng)的集成度已非常高,好的設(shè)計(jì)和選擇非常重要。為了做到應(yīng)用時(shí)應(yīng)對(duì)系統(tǒng)EMC的要求提供我前期的工作設(shè)計(jì)案例,該設(shè)計(jì)方案體積和成本要求嚴(yán)格,輸入交流前端的壓敏電阻要求去掉能通過(guò)>2KV的差模浪涌設(shè)計(jì)最好能通過(guò)2.5KV的測(cè)試要求,分享給電子設(shè)計(jì)愛(ài)好者參考。

1.小功率電源系統(tǒng)LNK564P的設(shè)計(jì)原理圖

2.小功率系統(tǒng)LNK564P方案在L,N之間施加差模浪涌測(cè)試時(shí)在芯片上的耐壓關(guān)系

加在芯片VDS上的電壓≈VO≈V1(電容兩端的浪涌電壓)

3.小功率開關(guān)電源系統(tǒng)LNK564P測(cè)試的浪涌電壓等效路徑圖如下:

RF1=保險(xiǎn)絲/保險(xiǎn)絲電阻/NTC等的額定電阻值;

RL1=電路中的差模/共模電感的直流電阻阻值;

CRES=電解電容的RES在1KHZ-100KHZ的最大內(nèi)阻值;

RL=變壓器的原邊電感的直流電阻阻值;

VO≈V1≈加載在芯片VDS兩端的最大電壓值。

4.浪涌的測(cè)試原理及波形

5.浪涌的實(shí)際波形圖-即其浪涌的頻譜范圍是6.3KHZ-265KHZ。

6.小功率電源LNK564PN電路中器件參數(shù)用LCR測(cè)試儀的實(shí)際測(cè)試數(shù)據(jù)如下:

(1K-100KHZ頻率測(cè)試)

注明:保險(xiǎn)絲選擇5A/250V ;10UF/400V電解電容為CD263-150℃

7.輸出VO值的理論計(jì)算值

VO=SurgeU1×CRes/(CRes+2+RF1+RL1)

①當(dāng)系統(tǒng)L,N之間加2KV差模浪涌

VO=2000×6/(6+2+13)=572V

②當(dāng)系統(tǒng)L,N之間加2.5KV差模浪涌

VO=2500×6/(6+2+13)=714.3V

③當(dāng)系統(tǒng)L,N之間加2.45KV差模浪涌

VO=2450×6/(6+2+13)=700V

8.結(jié)論

在上述的實(shí)際器件參數(shù)和應(yīng)用原理圖設(shè)計(jì)時(shí)。系統(tǒng)是可以通過(guò)2KV的差模浪涌測(cè)試的。當(dāng)系統(tǒng)的L,N之間的浪涌電壓大于等于2400V的差模浪涌時(shí)系統(tǒng)會(huì)隨時(shí)出現(xiàn)芯片損壞的現(xiàn)象(VO的電壓達(dá)到芯片的耐壓700V的極限)。

9.實(shí)際的測(cè)試數(shù)據(jù)情況

A.隨機(jī)測(cè)試10pcs-LNK564P芯片都通過(guò)L,N之間差模2KV的浪涌測(cè)試

B.將浪涌電壓提高到L,N之間差模2.3KV通過(guò)浪涌測(cè)試。

C.將其中一個(gè)LNK564P的芯片L,N之間差模提高到2.4KV也通過(guò)了浪涌測(cè)試。

從測(cè)試結(jié)果來(lái)看理論計(jì)算和實(shí)際測(cè)試基本還是比較吻合的。

在實(shí)際使用時(shí)測(cè)試2.5KV有出現(xiàn)損壞的情況。(由此對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行了設(shè)計(jì)分析)

理論和實(shí)際情況如下:

在實(shí)際器件參數(shù)和應(yīng)用原理圖設(shè)計(jì)。系統(tǒng)是可以通過(guò)2KV的差模浪涌測(cè)試的。

當(dāng)系統(tǒng)的L,N之間的浪涌電壓大于等于2400V的差模浪涌時(shí)系統(tǒng)會(huì)隨時(shí)出現(xiàn)芯片損壞的現(xiàn)象(VO的電壓達(dá)到芯片的耐壓700V的極限)。

10.將電路中的電感L1=2.2mH更改為3.3mH的電感的實(shí)際計(jì)算情況如下:

輸出VO值的理論計(jì)算值

VO=SurgeU1×CRes/(CRes+2+RF1+RL1)

①當(dāng)系統(tǒng)L,N之間加2KV差模浪涌

VO=2000×6/(6+2+25)=364V

②當(dāng)系統(tǒng)L,N之間加2.5KV差模浪涌

VO=2500×6/(6+2+25)=455V

③當(dāng)系統(tǒng)L,N之間加3KV差模浪涌

VO=3000×6/(6+2+25)=546V

結(jié)論:

從上面理論的計(jì)算結(jié)果說(shuō)明:

如果將電感更換為3.3mH時(shí)提高L,N之間的浪涌電壓時(shí)所加在LNK564P的浪涌電壓不會(huì)超過(guò)芯片的最高承受電壓。可減少芯片在浪涌電壓時(shí)的故障率。在實(shí)際運(yùn)用時(shí)可選擇3.3mH的相同2.2mH電流的電感進(jìn)行替換,可以增加系統(tǒng)抗浪涌的能力。

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