本文介紹一個依靠憶阻器執(zhí)行像素級自適應背景提取算法的成像傳感器架構。內(nèi)置光頻轉換器(L2F)的像素是圖像處理的核心組件，其輸出的與光強成正比的數(shù)字脈沖被施加到憶阻器后，憶阻器電阻將會發(fā)生相應變化。另外兩個憶阻器用于保存動態(tài)邊界，邊界外的光生信號行為被認為是異常，即意外快速變化。與全CMOS成像傳感器相比，基于憶阻器的解決方案可取得更小的像素間距和非易失性存儲功能，讓設計人員能夠使用可編程時間常數(shù)建立圖像背景模型。
1.前言
過去的幾十年，業(yè)界圍繞CMOS架構視覺傳感器理論進行了大量廣泛的研究和探討，旨在于在成像早期階段處理圖像，從場景中提取最重要的特征，如果換作其它方式達到同樣目的，例如，使用普通計算技術，則需要為此花費昂貴的成本。在這個方面，運動偵測是最重要的圖像特征之一，是多個復雜視覺任務的基礎。本文重點介紹時間對比概念，這個概念在很多應用中特別重要，包括交通監(jiān)控、人體運動拍照和視頻監(jiān)視。這些應用要求圖像偵測精確并可靠，形狀偵測準確，變化反應及時。此外，運動檢測還必須靈活地適應不同的工作場景和光強條件。背景提取是目前最被認可的運動偵測方法。背景提取就是生成一個背景估算值，然后逐幀更新。分析運動類型，并將其與場景中特定對象關聯(lián)，以便進行更高級別的處理，在這個過程中，光強變化無疑是幫助我們發(fā)現(xiàn)運動的第一個線索。因為可能會在某一時間點意外偵測到所有像素的變化，其中包括光線、陰影、噪聲引起的變化，相對于過去，像素變化過快時，應該考慮的潛在變化。因此，應該在像素級實現(xiàn)一種低通存儲器，跟蹤像素對比變化，并在像素行為變化時發(fā)出報警。
本文介紹如何利用憶阻器實現(xiàn)上述算法。在上個世紀70年代，蔡少棠教授從理論上預言存在一種叫做憶阻器的無源器件，2008年惠普實驗室演示了這種無源器件的物理模型，顧名義，憶阻器是一種可變電阻器，其導通狀態(tài)能夠記憶以前流經(jīng)憶阻器的電流歷史。
本文主要內(nèi)容如下：下一章介紹與輸入偏壓有關的憶阻器行為，特別是基于脈沖的編程，這是本文的研究基礎。第三章介紹像素工作原理，第四章重點介紹像素實現(xiàn)。第五章介紹仿真結果，第六章是結論。
II.憶阻器行為
如前文所述，憶阻器可以視為一個時間可變的電阻器，電阻值取決于以前流經(jīng)憶阻器的電流值。
視覺傳感器架構" height="174" width="500"/>
圖1：憶阻器和簡化等效電路圖。圖a:TiO2憶阻器結構；圖b:等效電阻器電路
首次提出的憶阻器概念的是蔡少棠教授，在推理無源電路理論的等式對稱性依據(jù)時，他認為憶阻器是電阻器、電容器、電感器之外的第四個基礎無源器件。在發(fā)現(xiàn)憶阻器物理模型后，很多人想利用憶阻器令人興奮的記憶特性開發(fā)模擬集成電路?；萜諏嶒炇议_發(fā)的首個物理模型基于TiO2的兩個區(qū)：一個高電阻的非摻雜區(qū)和一個有高導電氧空穴TiO2-x的摻雜區(qū), 這兩個區(qū)夾在兩個金屬電極板的中間，如圖1a所示。當向憶阻器施加外部偏壓時，摻雜層和非摻雜層之間的邊界就會移動，位移是所施加的電流或電壓的函數(shù)，因此，帶電荷的摻雜區(qū)的漂移導致兩個電極之間電阻變化。對于簡單的電阻導電情況，下面等式定義了電壓電流關系：
視覺傳感器架構" height="65" width="257"/>
其中，RON 是摻雜原子濃度高的半導體薄膜的高導電區(qū)的電阻；ROFF是高電阻非摻雜區(qū)的電阻；D是憶阻器的長度；狀態(tài)變量w(t)是摻雜比，u是摻雜遷移率。等式(2)積分運算得出w(t)公式：
將（3）代入（1），取得憶阻值。
若RON≤ROFF，憶阻值可用下面等式表達：
