美女网站一区二区_在线观看日韩毛片_成人在线视频首页_欧美精品一区二区三区久久久_国产精品亚洲一区二区三区在线_日本免费新一区视频_日本美女一区二区三区_精品亚洲成a人_久久不见久久见免费视频1_91首页免费视频_欧美一区二区在线看_91精品91久久久中77777_天堂蜜桃一区二区三区_av在线一区二区_欧美不卡一区二区_欧美影视一区二区三区

　　從CPU到GPU，從內(nèi)存到顯存再到閃存，各種芯片都在搞3D堆疊工藝，而堆疊最狠的，絕對是三星電子的3D V-NAND閃存。TechInsights最近拆解了三星最新的48層3D V-NAND，被其精湛的工藝徹底征服了。

　　拆解對象是三星最新的移動(dòng)固態(tài)硬盤T3 2TB，應(yīng)用了2015年8月份發(fā)布的3D V-NAND TLC閃存顆粒，每個(gè)晶粒(Die)的容量為256Gb(32GB)，編號“K9AFGY8S0M”。

　　這塊硬盤PCB的正反面安裝了四顆閃存芯片，編號“K9DUB8S7M”，每顆容量512GB，內(nèi)部封裝了16個(gè)我們想要探索的48層堆疊3D V-NAND晶粒。

　　16顆晶粒相互堆疊以及采用傳統(tǒng)線鍵合技術(shù)連接的封裝橫截面。 這些晶粒的厚度只有40微米，是迄今所見封裝中最薄的，相比之下三星上代32層堆疊3D V-NAND中的晶粒厚度約為110微米。