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　　基于氮化鎵的藍(lán)/白光LED的芯片結(jié)構(gòu)強(qiáng)烈依賴于所用的襯底材料。目前大部分廠商采用藍(lán)寶石作為襯底材料，芯片結(jié)構(gòu)主要分為4類，如圖1所示：

　　正裝芯片結(jié)構(gòu)

　　這類芯片廣泛被中低功率的封裝產(chǎn)品所采用，優(yōu)點(diǎn)是價格低；缺點(diǎn)是由于藍(lán)寶石導(dǎo)熱性能差，所以芯片散熱較差，P型材料的導(dǎo)電性也較差，因此注入電流受到限制。此外，芯片是五面發(fā)光的，通常需要將將芯片置于支架內(nèi)，如圖2所示，反光杯的開口面積遠(yuǎn)大于芯片發(fā)光面積，導(dǎo)致單位面積光通量低，芯片表面顏色均勻性非常差，芯片正上方偏藍(lán)，而外圈偏黃。這就是在使用中，如射燈、平板燈等，出現(xiàn)黃圈的原因。

　　倒裝結(jié)構(gòu)

　　為了克服傳統(tǒng)正裝結(jié)構(gòu)散熱較差、注入電流受限等缺陷，有科學(xué)家提出了倒裝結(jié)構(gòu)。熱可以由芯片直接傳遞到如陶瓷等基底材料上，而不用通過導(dǎo)熱能力較差的藍(lán)寶石襯底，因此注入電流可以顯著提高；單位面積的光通量也可以顯著提升。缺點(diǎn)是芯片是五面發(fā)光的，給需要精確二次光學(xué)設(shè)計的場合，如小角度射燈、手機(jī)閃光燈、車燈、超薄背光及平板燈等帶來了諸多的不便，此外，也存在正裝五面出光芯片所面臨的顏色不均勻的問題。

　　薄膜倒裝結(jié)構(gòu)

　　為了解決倒裝結(jié)構(gòu)存在的問題，有人提出了薄膜倒裝結(jié)構(gòu)，在倒裝芯片的基礎(chǔ)上，通過用激光剝離技術(shù)去除了藍(lán)寶石襯底，得到單面發(fā)光的薄膜芯片。薄膜芯片具有出光效率高、出光集中于芯片正上方，利于二次光學(xué)設(shè)計，此外也具體非常好的表面顏色均勻性。但是要用到工藝復(fù)雜的激光剝離技術(shù)，成本高、良率低，芯片本身也容易存在缺陷，另外，由于是倒裝結(jié)構(gòu)，在芯片和(陶瓷)襯底之間有間隙，一定程度上降低了芯片的導(dǎo)熱能力；同時，由于芯片非常薄，在使用中容易出現(xiàn)芯片裂痕、漏電等問題。