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　　在熔接某些特種光纖亦或是不同種光纖對(duì)熔的時(shí)候，熔接后的損耗往往不太理想，如果在熔接機(jī)的既有模式里面不能找到相對(duì)應(yīng)的模式的話，就需要我們手動(dòng)進(jìn)行測(cè)試來(lái)找到符合自己光纖的最合適的熔接參數(shù)，下面我就來(lái)介紹一下調(diào)整參數(shù)的辦法，適用于藤倉(cāng)的干線熔接機(jī)60S，80S，包括最新的61S以及62S。

　　注意點(diǎn)

　　注意①切割角度需要在1°以內(nèi)進(jìn)行熔接。

　　注意②進(jìn)行熔接損耗平均值比較的時(shí)候,和平均值有15%以上差距的判斷為變好或者變壞.

　　注意③需要使用新的電極棒。

　　注意④本說(shuō)明書(shū)適用于包層為兩端同樣為125um的光纖進(jìn)行熔接.

　　注意⑤以本說(shuō)明書(shū)最后的測(cè)試方法來(lái)測(cè)定熔接損耗.

　　Step1放電時(shí)間（ArcTime）的最優(yōu)化

　　Step1-1.放電1時(shí)間的設(shè)定。

　　(1)放電1時(shí)間→1000[ms]

　　(2)放電1時(shí)間→2000[ms]

　　(3)放電1時(shí)間→3000[ms]

　　(4)放電1時(shí)間→4000[ms]

　　(5)放電1時(shí)間→5000[ms]

　　在4次多項(xiàng)式曲線上面確定熔接損耗最低條件下的放電1時(shí)間T2[ms]，

　　將其設(shè)定為放電1時(shí)間。

　　Step1-2.放電1時(shí)間的最優(yōu)化。(可能的話最好使用3臺(tái)機(jī)器進(jìn)行)

　　①將放電1時(shí)間用以下方式進(jìn)行設(shè)定熔接(每種的熔接次數(shù)N=5)。

　　(1)放電1時(shí)間→T1[ms]

　　(2)放電1時(shí)間→T1×0.9[ms]

　　(3)放電1時(shí)間→T1×1.1[ms]

　　②在4次多項(xiàng)式曲線上面確定熔接損耗最低條件下的放電1時(shí)間T2[ms]，

　　將其設(shè)定為放電1時(shí)間。

　　Step2較低放電功率下進(jìn)行熔接

　　通常情況下不需要進(jìn)行此步驟。

　　日本藤倉(cāng)只在對(duì)80um光纖進(jìn)行熔接參數(shù)設(shè)置的時(shí)候才會(huì)做這一步。

　　或者是在放電時(shí)間特別短例如1秒以下，亦或是仍然還需要降低損耗的情況下可以嘗試。

　　將放電功率以20bit為單位下降，然后再次調(diào)整放電時(shí)間，確認(rèn)是不是能夠改善損耗。

　　放電時(shí)間或者損耗有所改善的話說(shuō)明STEP2可行。

　　熔接損耗的優(yōu)劣差別如果達(dá)不到15％的話，還是選擇原有的放電功率。(因?yàn)槿醴烹姽β实那闆r下，Prefuse可能不能將光纖端面充分融化，比較容易造成熔接后的纖芯偏移)

　　Step3端面間隔位置（GAPPOS.）的最優(yōu)化

　　在同種光纖熔接的情況下不需要進(jìn)行。

　　端面間隔位置用以下的設(shè)定來(lái)進(jìn)行熔接實(shí)驗(yàn)測(cè)試(每種測(cè)試次數(shù)N=5)。

　　(1)端面間隔位置→中心(Step1已經(jīng)得到了數(shù)據(jù))

　　(2)端面間隔位置→左-15um＋測(cè)試觀察結(jié)果

　　(3)端面間隔位置→左-30um＋測(cè)試觀察結(jié)果

　　(4)端面間隔位置→右-15um＋測(cè)試觀察結(jié)果

　　(5)端面間隔位置→右-30um＋測(cè)試觀察結(jié)果

　　選擇熔接損耗最低的作為最優(yōu)。

　　Step4.光纖預(yù)熔時(shí)間（PrefuseTime）的最優(yōu)化

　　一般設(shè)定為180ms.

　　MM光纖為240ms（為了對(duì)應(yīng)氣泡的產(chǎn)生設(shè)置為長(zhǎng)時(shí)間）

　　80um光纖為60ms

　　一般以上面3種情況進(jìn)行選擇就可以，多數(shù)情況不需要特意變更。

　　Step5.重疊（Overlap）的最優(yōu)化

　　一般設(shè)定為10um

　　MM光纖為20um（為了對(duì)應(yīng)氣泡預(yù)熔時(shí)間增長(zhǎng)，相應(yīng)推進(jìn)量也要增加）

　　MM光纖之外變化基本上沒(méi)有什么意義。

　　Step6.聚焦（Focus）的最優(yōu)化

　　對(duì)纖芯對(duì)準(zhǔn)才有效。

　　如果不能看見(jiàn)纖芯的話就算變化率聚焦量也會(huì)切換為包層對(duì)準(zhǔn)

　　數(shù)值的設(shè)定量在AUTO以外一般是0.25或0.3．

　　G．657光纖一般使用包層對(duì)準(zhǔn)

　　纖芯比較小的時(shí)候，例如5um的話設(shè)置為0.3，

　　一般情況下設(shè)置為0.25

　　需要注意的是大多數(shù)的情況下，對(duì)損耗起到最大影響的是放電時(shí)間，對(duì)于大多數(shù)的光纖只需調(diào)整放電時(shí)間就可以起到理想的效果。

　　N=30熔接數(shù)據(jù)測(cè)試

　　以之前確定的最佳放電條件參數(shù)進(jìn)行測(cè)試(N=30)。

　　用以下圖示的方法進(jìn)行測(cè)試。

　　需要設(shè)備

　　(1)LightSource：AgilentHP-8163A、HP-81654A

　　(2)PowerMeter：AgilentHP-8163A、HP-81618A

　　(3)OpticalSensor：AgilentHP-81524A、81624A

　　(4)IntegratingSphere：AgilentHP-81002FF

　　測(cè)試方法

　　1.同種光纖熔接

　　2.同種光纖熔接