Infineon IGBT 結合了 IGBT 和軟恢復發射器控制二極管，進一步將導通損耗降至最低。由于開關損耗和導通損耗之間的最佳協調，可實現最高效率。
超低 VCE(sat) 1.5 V （典型）
最高結溫 175°C
短路耐受時間 5 微秒
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 最大連續集電極電流 | 4A |
| 最大集電極-發射極電壓 | 600 V |
| 最大柵極發射極電壓 | ±20.0V |
| 最大功率耗散 | 42 W |
| 封裝類型 | TO-251 |
