Infineon 單開關 IGBT 模塊配有 TRENCHSTOP ? IGBT4 和發射器控制的 4 二極管。此模塊具有高功率密度和 AlSiC 基板，用于提高熱循環能力。
VCES 為 3300 V
IC 標稱值為 825 A
ICRM 為 1650 A
它可保持高電流密度
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 最大連續集電極電流 | 825 A |
| 最大集電極-發射極電壓 | 3300 V |
| 晶體管數 | 2 |
| 最大功率耗散 | 2400 千瓦 |
| 封裝類型 | AG-IHVB130 |
| 配置 | 單 |
