Infineon OptiMOS 功率 MOSFET 通過在待機和完全操作中實現最高功率密度和能效，提供基準解決方案。它提供 0.45 m Ω 的漏極源通態電阻。
最高效
SuperSO8 封裝中具有最高功率密度
降低整體系統成本
符合 RoHS
無鹵素
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 479 A |
| 最大漏源電壓 | 25 V |
| 封裝類型 | TDSON |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 0.00045 Ω |
| 最大柵閾值電壓 | 1.5V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
