Infineon coolsic ? 1700 v 、 650 mΩ sic mosfet 采用 6-263-7 高爬電距離封裝，經優化可用于連接到直流鏈路電壓 600 v 到 1000 v 的輔助電源，適用于多種電源應用。
針對回彈拓撲進行了優化
極低切換損耗
12 v / 0 v 柵 - 源電壓與回飛控制器兼容
完全可控的 dv/dt 、用于 emi 優化
smd 封裝、具有增強的爬電距離和間隙距離、 > 7 mm
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 7.4 A |
| 最大漏源電壓 | 1700 V |
| 封裝類型 | TO-263-7 |
| 安裝類型 | 表面安裝器件 |
| 引腳數目 | 7 |
| 最大漏源電阻值 | 650 米Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4.5V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
