當前位置: 首頁 > 工業(yè)電子產品 > 無源元器件 > MOSFET > NMOSFET
+比較





英飛凌制造的增強模式的P溝道型晶體管被廣泛應用于高切換應用。它具有雪崩等級和無鹵。此器件是 OptiMOS-P 小信號晶體管,其超級邏輯電平為2.5V(額定)。工作溫度為150°C。它具有雪崩和 dv /dt 等級。它是無鉛電鍍的、無鹵素。
VDS 為-20 V,RDS(接通),最大550 mΩ,Id 是 -0.63 A
最大功耗為500mW
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | P |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 630 mA |
| 最大漏源電壓 | 20 V |
| 封裝類型 | SOT-323 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |