此 Infineon ex場 ? 功率 mosfet 利用最新的 35A id 處理技術，可在每個硅片區域實現極低的接通電阻。此設計的其他功能包括 175°C 結點工作溫度、快速切換速度和改進的重復雪崩額定值。這些功能相結合、使此設計成為極其高效和可靠的設備、適用于各種應用。
先進的工藝技術
超低接通電阻
無鉛和無鹵素
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 35 A |
| 最大漏源電壓 | 100 V |
| 封裝類型 | DPAK (TO-252) |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.0285 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 晶體管材料 | Si |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
