Infineon 設計用于滿足高電壓 MOSFET 領域不斷增長的消費需求，最新的 950V CoolMOS ? P7 技術專注于低功率 SMPS 市場。與前代產品 900V CoolMOS ? C3 相比， 950V CoolMOS ? P7 系列提供 50V 的阻塞電壓，在效率，熱行為和易用性方面提供卓越的性能。與所有其他 P7 系列成員一樣， 950V CoolMOS ? P7 系列隨附集成齊納二極管 ESD 保護。集成二極管顯著提高了 ESD 的穩定性，從而減少了與 ESD 相關的產量損失并達到卓越的的易用性級別。CoolMOS ? P7 設計采用 3V 杰出 VGS (th) 和僅 ± 0.5V 的窄容差，易于驅動和設計。
3V 的杰出 VGS (th) 和 ±0.5V 的最小 VGS (th) 變化
集成齊納二極管 ESD 保護，高達 2 類 (HBM)
杰出質量和可靠性
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 6 A |
| 最大漏源電壓 | 950 V |
| 封裝類型 | PG-SOT223 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.12. Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 3.5V |
| 每片芯片元件數目 | 4 |
