the Infineon 600V coolmos ? CFD7 superjunction mosfet IPB60R090CFD7 采用 D2PAK 封裝，特別適用于高功率開關電源中的諧振拓撲，例如服務器、電信和 ev 充電站，在那里可以顯著提高效率。作為 CFD2 sj mosfet 系列的后續產品、它與競爭對手相比、具有更低的柵極電荷、更好的關閉行為和高達 69% 的反向恢復電荷。
超快主體二極管
同類杰出的反向恢復充電（ qrr ）
改進了反向二極管 dv/dt 和 dif/dt 堅固性
最低 fom rds （接通） x qg 和 eoss
同類杰出的 rds （接通） / 封裝
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 25 A |
| 最大漏源電壓 | 600 V |
| 封裝類型 | D2PAK (TO-263) |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 90 米Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4.5V |
| 晶體管材料 | Si |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
