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Infineon MOSFET 特別適用于低電壓驅動器，如叉車和電瓶車，以及電信和太陽能應用。該產品可減少 R DS（接通） （與 SuperSO8 的下一個最佳替代品相比，高達 25%）和 Q rr，而不會影響 FOM gd 和 FOM OSS，有效地減少了設計工作，同時優化了系統效率。

更低的 R DS（接通）， 不會影響 FOMgd 和 FOMoss
更低的輸出充電
超低反向恢復充電（SuperSO8 中 Q rr = 26 nC）
工作溫度 175°C
無鉛引線鍍層
符合 RoHS 標準
排放源擊穿電壓 150V
最大漏極電流 120A