Infineon p 溝道 MOSFET 利用最新處理技術實現每硅區域低接通電阻。此優勢結合 HEXFET 功率非常適合聞名的快速切換速度和耐震設備設計，為設計人員提供極其高效和可靠的設備，適用于汽車和各種其他應用。
它是無鉛的
它符合 RoHS 標準
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | P |
| 最大連續漏極電流 | 13 A |
| 最大漏源電壓 | 100 V |
| 封裝類型 | DPAK |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.205 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | 硅 |
