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訂 貨 號(hào):FF11MR12W1M1B11BOMA1 品牌:英飛凌_Infineon
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:
RoHS:符合
市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00 品 牌 商:¥0.00
Infineon 1B 1200 v 、 11 mΩ 半橋模塊采用 coolsic mosfet 、 ntc 和 presfit 觸點(diǎn)技術(shù)。
高電流密度
同類(lèi)最佳的開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)損耗
低電感設(shè)計(jì)
最高效率、可減少冷卻工作量
更高頻率操作
功率密度增加
優(yōu)化客戶(hù)的開(kāi)發(fā)周期時(shí)間和成本
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類(lèi)型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 100 A |
| 最大漏源電壓 | 1200 V |
| 封裝類(lèi)型 | 模塊 |
| 安裝類(lèi)型 | 螺絲安裝 |
| 最大漏源電阻值 | 0.016. Ω |
| 最大柵閾值電壓 | 20V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 4 |