DiodesZetex MOSFET 生產的 N 溝道增強模式 MOSFE，旨在滿足汽車應用的嚴格要求。這種環保器件完全不含鉛、鹵素和銻。此款 MOSFET 采用 powerDI5060-8 封裝。具有切換速度快和效率高的特點。溫度最高可達 +175°C，特別適合于高溫環境。100% 無鉗位電感開關，確保更加可靠而穩健的終端應用封裝尺寸小于 1.1 mm，非常適合于薄型應用。
最大漏極-源極電壓 30 V 最大柵極-源極電壓 ±16 V 低導接通電阻且高 BVDSS 額定值，適合于電源應用 輸入電容低
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 170 A |
| 最大漏源電壓 | 30 V |
| 封裝類型 | PowerDI5060-8 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 0.0032 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 3V |
