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Infineon MOSFET OptiMOSTM 功率晶體管采用無鉛鍍層,符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),滿足 IEC61249-2-21 的無鹵素要求。
P 通道
超低導(dǎo)通電阻 RDS (導(dǎo)通)
100% 通過崩潰測試
正常能級
增強(qiáng)型
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | P |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 6.5 A |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | PG-TO252-3 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |