此 MOSFET 設計旨在最大程度減少通態電阻（RDS（接通））并保持卓越的切換性能，使其特別適用于高效率電源管理應用。
額定溫度值為 +175°C - 特別適用于高環境溫度環境
100% 非鉗制電感切換 - 確保更可靠和堅固的端應用
高轉換率
低 RDS（接通）- 可最大程度減少通態損耗
低輸入電容
快速切換速度
應用
電源管理功能
直流 - 直流轉換器
背光
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 30.8（狀態）A，43.6（穩定）A |
| 最大漏源電壓 | 40 V |
| 封裝類型 | PowerDI5060 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 25 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 3V |
| 最小柵閾值電壓 | 1V |
| 最大功率耗散 | 42.8 W |
| 最大柵源電壓 | ±20 V |
| 典型柵極電荷@Vgs | 10.2 nC @ 10V |
| 最高工作溫度 | +175 °C |
| 長度 | 5.85mm |
| 寬度 | 4.95mm |
| 每片芯片元件數目 | 2 |
