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Infineon ? 小型信號(hào)晶體管 p 通道增強(qiáng)模式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（場(chǎng)效應(yīng)晶體管），具有 20V 最大漏極源電壓，采用了采用了第 23 封裝類型。英飛凌公司的高度創(chuàng)新的最佳 mos ?系列產(chǎn)品包括 p 溝道功率高的功率半導(dǎo)體器件。這些產(chǎn)品始終滿足電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)關(guān)鍵規(guī)格中高品質(zhì)和性能要求、如通態(tài)電阻和品質(zhì)因數(shù)特性。BSS84P 是 p 通道增強(qiáng)模式 mosfet 、采用小型表面安裝封裝、具有卓越的切換性能。此產(chǎn)品特別適用于低電壓、低電流應(yīng)用。

增強(qiáng)型模式
邏輯電平
雪崩等級(jí)
快速切換
dv/dt 額定值
無(wú)鉛引線電鍍