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國(guó)際整流器的 Infineon p 通道 Advanced 采用先進(jìn)的處理技術(shù)，可在每個(gè)硅片區(qū)域?qū)崿F(xiàn)極低的導(dǎo)通電阻。 International Rectifier ，也可在每個(gè)硅此優(yōu)勢(shì)為設(shè)計(jì)人員提供及其高效地設(shè)備，用于電池和負(fù)載管理應(yīng)用。Micro6 封裝及其自定義引線框可產(chǎn)生一個(gè)采用 rds （接通）的 hex場(chǎng) ? 功率 mosfet ，比類似尺寸的數(shù)目的數(shù)目減少 60% 。此封裝特別適用于印刷電路板空間要求嚴(yán)格的應(yīng)用。獨(dú)特的熱設(shè)計(jì)和 rds （接通）減少使電流處理比數(shù)量上的數(shù)量增加近 300% 。

超低接通電阻
P 溝道 MOSFET
表面安裝
提供帶裝和卷裝
無(wú)鉛