Infineon 雙功率 MOSFET 集成了兩個 HEXFET? 設備，以便在板空間要求嚴格的高元件密度設計中提供經濟實惠節省空間的切換解決方案。 提供各種封裝選項，設計人員可以選擇雙 P 通道配置。
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業標準的 MOSFET。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | P |
| 最大連續漏極電流 | 2.3 A |
| 最大漏源電壓 | 20 V |
| 封裝類型 | SOIC |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 400 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 3V |
| 最小柵閾值電壓 | 1V |
| 最大功率耗散 | 2 W |
| 晶體管配置 | 隔離式 |
| 最大柵源電壓 | -12 V、+12 V |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 每片芯片元件數目 | 2 |
| 寬度 | 4mm |
| 晶體管材料 | Si |
| 典型柵極電荷@Vgs | 9.3 nC @ 10 V |
| 長度 | 5mm |
