Infineon 系列分離式 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道設備，采用表面安裝和引線封裝。 形狀系數可解決大多數板布局和熱設計挑戰問題。 在整個范圍內，基準導通電阻減少了傳導損耗，讓設計人員可以提供最佳系統效率。
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業標準的 MOSFET。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 8 A，11 A |
| 最大漏源電壓 | 30 V |
| 封裝類型 | SOIC |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 16.9 mΩ, 22.2 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2.35V |
| 最小柵閾值電壓 | 1.35V |
| 最大功率耗散 | 1.5 W, 2.4 W |
| 晶體管配置 | 隔離式 |
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件數目 | 2 |
| 典型柵極電荷@Vgs | 5.7 nC @ 4.5 V，7.6 nC @ 4.5 V |
| 晶體管材料 | Si |
| 最高工作溫度 | +175 °C |
| 長度 | 5mm |
| 寬度 | 4mm |
