來自 Infineon 的一系列超低噪聲寬帶 NPN 雙極射頻晶體管。 這些異質結雙極性設備采用 Infineon 的硅鍺:碳 (SiGe:C) 材料技術，特別適用于低功耗為關鍵要求的移動應用。 借助典型的高達 65 GHz 傳輸頻率，這些設備用于放大器時可提供高達 10GHz 頻率的高功率增益。 晶體管包括用于 ESD 的內部電路和過度射頻輸入電源保護。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 晶體管類型 | NPN |
| 最大直流集電極電流 | 45 mA |
| 最大集電極-發射極電壓 | 4.2 V |
| 封裝類型 | TSFP |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 最大功率耗散 | 160 mW |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大集電極-基極電壓 | 4.9 V |
| 最大發射極-基極電壓 | 0.5 V |
| 最大工作頻率 | 47 GHz |
| 引腳數目 | 4 |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
