BFP842ESD 是高性能 HBT（異質結雙極晶體管），專門設計用于 2.3 - 3.5 GHz LNA 應用。該設備基于 Infineon 可靠的高音量 SiGe:C 技術。BFP842ESD 提供固有良好輸入功率匹配以及固有良好噪聲匹配（介于 2.3 與 3.5 GHz 之間）。不使用有損外部匹配組件的同時噪聲和功率匹配可使外部部件數量較少、噪聲指數極佳且應用中的變換器增益較高。
堅固的極低噪聲放大器，基于 Infineon 可靠的高容量
SiGe:C 技術
高端射頻性能和堅固性的獨特組合
高線性
高轉換頻率
變換器增益
特別適用于低電壓應用
低功耗，特別適用于移動應用
易于使用的無鉛和無鹵工業標準封裝（帶可視引線）
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 晶體管類型 | NPN |
| 最大直流集電極電流 | 40 mA |
| 最大集電極-發射極電壓 | 3.25 V |
| 封裝類型 | SOT-343 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 最大功率耗散 | 120 mW |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大集電極-基極電壓 | 3.5 V、4.1 V |
| 最大工作頻率 | 60 GHz |
| 引腳數目 | 4 |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
