60 V，3 A PNP 低 VCEsat (BISS) 晶體管，PNP 低 VCEsat 突破性小信號 (BISS) 晶體管采用中等功率 SOT223 (SC-73) 表面貼裝器件 (SMD) 塑料封裝。NPN 互補型：PBSS4360Z。
低集電極-發射極飽和電壓 VCEsat
高集電極電流容量 IC 和 ICM
由于產生較少的熱量，因此具有高能源效率
符合 AEC-Q101
直流-直流轉換
電源線路開關
電池充電器
LED 背光
低電源電壓應用（例如燈和 LED）中的驅動器
電感負載驅動器（例如繼電器、蜂鳴器和電動機）
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 晶體管類型 | PNP |
| 最大直流集電極電流 | -3 mA |
| 最大集電極-發射極電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | SC-73，SOT-223 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 最大功率耗散 | 1.35 W |
| 最小直流電流增益 | 150 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大集電極-基極電壓 | -80 V |
| 最大發射極-基極電壓 | -60 V |
| 最大工作頻率 | 130 MHz |
| 引腳數目 | 4 |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
