此 P 通道 MOSFET 采用 Advanced PowerTrench ? 工藝制造，該工藝已針對 RDS (on) 、開關性能和堅固性進行了優化。
最大 RDS (on) =183 M Ω ， VGS =-10 V ， ID =-2.1 A
最大 RDS (on) =247 M Ω ， VGS =-4.5 V ， ID =-1.9 A
高性能溝槽技術，用于極低的 RDS (on)
高功率和電流處理能力，采用廣泛使用的表面安裝封裝
應用
該產品可通用，適用于許多不同的應用。
負載開關
同步整流器
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 封裝類型 | SOIC |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 最大功率耗散 | 3.1 W |
| 引腳數目 | 8 |
| 每片芯片元件數目 | 2 |
