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產(chǎn)品分類
分類：
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Infineon FP75R12KT4BOSA1 IGBT

訂 貨 號：FP75R12KT4BOSA1      品牌：英飛凌_Infineon

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進口

品牌商價：￥0.00

環(huán) 球 價： 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Infineon FP75R12KT4BOSA1 IGBT
產(chǎn)品詳細信息

Infineon IGBT 模塊的最大額定集電極發(fā)射極電壓為 1200 V，總耗散功率為 355 W，最大柵極閾值電壓為 6.5 V。

內(nèi)部隔離基本絕緣（1 類，IEC 61140）
柵極-發(fā)射極峰值電壓 + /- 20 V
集電極-發(fā)射極飽和電壓 2.15 V
柵極-發(fā)射極泄漏電流 400 nA


屬性 數(shù)值
最大連續(xù)集電極電流 75 A
最大集電極-發(fā)射極電壓 1200 V
最大柵極發(fā)射極電壓 ±20V
晶體管數(shù) 7
封裝類型 EconoPIM
暫無

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