一系列 Infineon IGBT 晶體管,集電極-發(fā)射器電壓額定值為 600 和 650V,采用 TrenchStop? 技術(shù)。該系列包括帶有集成高速、快速恢復(fù)反并聯(lián)二極管的設(shè)備。
? 集電極-發(fā)射器電壓范圍為 600 至 650V
? 極低的 VCEsat
? 低斷開損耗
? 短尾線電流
? 低 EMI
? 最大接點溫度為 175°C
絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導(dǎo)體設(shè)備,以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個設(shè)備中,將 MOSFET 的簡單柵極驅(qū)動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
最大連續(xù)集電極電流 | 40 A |
最大集電極-發(fā)射極電壓 | 600 V |
最大柵極發(fā)射極電壓 | ±20V |
最大功率耗散 | 70 W |
封裝類型 | TO-220AB |
安裝類型 | 通孔 |
通道類型 | N |
引腳數(shù)目 | 3 |
開關(guān)速度 | 1MHz |
晶體管配置 | 單 |
尺寸 | 10.36 x 4.57 x 15.95mm |