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訂 貨 號(hào):IGW15T120FKSA1 品牌:英飛凌_Infineon
庫存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看
一系列 Infineon 的 IGBT 晶體管,帶電壓額定值為 1100 至 1600V 的集電極-發(fā)射極,采用 TrenchStop? 技術(shù)。該系列包括帶集成高速、快速恢復(fù)防并聯(lián)二極管的設(shè)備。
? 集電極-發(fā)射極電壓范圍 1100 至 1600V
? 極低 VCEsat
? 低關(guān)閉損耗
? 短尾線電流
? 低 EMI
? 最高接點(diǎn)溫度 175°C
絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導(dǎo)體設(shè)備,以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個(gè)設(shè)備中,將 MOSFET 的簡單柵極驅(qū)動(dòng)特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
最大連續(xù)集電極電流 | 30 A |
最大集電極-發(fā)射極電壓 | 1200 V |
最大柵極發(fā)射極電壓 | ±20V |
最大功率耗散 | 110 W |
封裝類型 | TO-247 |
安裝類型 | 通孔 |
通道類型 | N |
引腳數(shù)目 | 3 |
晶體管配置 | 單 |
尺寸 | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |