Infineon 設計是一 C7 項革命性的高電壓功率功率功率半導體技術，符合超級連接（ sj ）原理，由 Infineon 技術開創。600V cool mos ? C7 系列結合了領先的 sj mosfet 供應商的經驗和高級創新。600V C7 是使用 rds （接通） * a （低于 1Ohm * 毫米）的第一項技術。
無鉛引線電鍍
符合 RoHS
經過 100% 雪崩測試、具有出色的熱阻
無鹵、符合 IEC61249 - 2-23
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 109 a |
| 最大漏源電壓 | 600 V |
| 封裝類型 | Pg 至 247-4. |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 4 |
| 最大漏源電阻值 | 0.017. Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 晶體管材料 | 硅 |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
