ON Semiconductor UniFET II 高電壓 MOSFET 基于 Advanced 平面磁條和 DMOS 技術。此 Advanced MOSFET 在平面 MOSFET 中具有最小的通態電阻，還提供卓越的切換性能和更高的雪崩能量強度。它適用于開關電源轉換器應用，如功率因數校正，平板顯示屏，電視電源， ATX 和電子燈鎮流器。
超低柵極電荷
通過 100% 雪崩測試
無鉛?Ω
無鹵素
符合 RoHS
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 2 A |
| 最大漏源電壓 | 500 V |
| 封裝類型 | SOT-223 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 3. Ω |
| 最大柵閾值電壓 | 5.5V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
