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Nexperia PMDXB1200UPEZ MOSFET

訂貨號(hào)：PMDXB1200UPEZ 品牌：

庫(kù)存數(shù)量：10 品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

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Nexperia PMDXB1200UPEZ MOSFET

產(chǎn)品詳細(xì)信息

當(dāng) N 溝道不適合您的設(shè)計(jì)時(shí)，P 溝道 MOSFET 將會(huì)特別適合您的設(shè)計(jì)，我們廣泛的 MOSFET 產(chǎn)品目錄還包括許多 P 溝道設(shè)備系列，基于 Nexperia 的領(lǐng)先 Trench 技術(shù)。額定電壓范圍為 12 V 到 70 V，采用中低功率封裝，提供我們熟悉的高效率和高可靠性。

30 V，雙 P 溝道 Trench MOSFET，雙 P 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 采用無(wú)引線超小型 DFN1010B-6 (SOT1216) 表面貼裝器件 (SMD) 塑料封裝，采用 Trench MOSFET 技術(shù)。

低閾值電壓
無(wú)引線超小型和超薄型 SMD 塑料封裝：1.1 x 1.0 x 0.37 mm
Trench MOSFET 技術(shù)
靜電放電 (ESD) 保護(hù)：> 2 kV HBM
繼電器驅(qū)動(dòng)器
高速線路驅(qū)動(dòng)器
高側(cè)負(fù)載開(kāi)關(guān)
開(kāi)關(guān)電路

屬性	數(shù)值
通道類型	P
最大連續(xù)漏極電流	-410 mA
最大漏源電壓	-30 V
封裝類型	DFN1010B-6, SOT1216
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	8
最大漏源電阻值	5.1 Ω
通道模式	增強(qiáng)
最大柵閾值電壓	-0.95V
最小柵閾值電壓	-0.45V
最大功率耗散	4030 mW
最大柵源電壓	8 V
寬度	1.05mm
典型柵極電荷@Vgs	0.7 nC @ 4.5 V
長(zhǎng)度	1.15mm
最高工作溫度	+150 °C
每片芯片元件數(shù)目	6

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