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12 V，N 溝道 Trench MOSFET，N 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 采用無(wú)引線超小型 DFN1010D-3 (SOT1215) 表面貼裝器件 (SMD) 塑料封裝，采用 Trench MOSFET 技術(shù)。

Trench MOSFET 技術(shù)
無(wú)引線超小型和薄型 SMD 塑料封裝：1.1 ′ 1.0 ′ 0.37 mm
裸露的散熱墊，用于提供極佳的熱傳導(dǎo)
靜電放電 (ESD) 保護(hù) 1 kV
超低漏-源導(dǎo)通電阻 RDSon = 34 m?
超低閾值電壓：0.65 V，用于便攜式應(yīng)用
低側(cè)負(fù)載開(kāi)關(guān)和充電開(kāi)關(guān)，用于便攜式設(shè)備
電池驅(qū)動(dòng)便攜式設(shè)備的電源管理
LED 驅(qū)動(dòng)器
直流 - 直流轉(zhuǎn)換器