ON Semiconductor NTH4L022N120M3S 是 SiC 電源，單 N 通道 MOSFET。它采用 TO247-4L 封裝。具有 1200 V 的漏極到源電壓和 68 A 的連續漏極電流， NTH4L022N120M3S 可用于太陽能逆變器，電動車輛充電站， UPS (不間斷電源) ，能量存儲系統， SMPS (開關模式電源) 等應用。
此 m? 的典型 RDS (接通) 為 22 m Ω ， VGS 為 18 V
該設備提供低切換損耗
它經過 100% 雪崩測試
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 68 A |
| 最大漏源電壓 | 1200 V |
| 封裝類型 | TO247-4L |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 4 |
| 最大漏源電阻值 | 0.03 Ω |
| 最大柵閾值電壓 | 4.4V |
| 晶體管材料 | SiC |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
