N 通道 80V (D-S) MOSFET 。
TrenchFET? 功率 MOSFET
最高 175 ° C 接點溫度
非常低的 QGD 可減少通過 VPlateau 時的功耗損失
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 150 A |
| 最大漏源電壓 | 80 V |
| 封裝類型 | TO-220AB |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 2.8 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 最小柵閾值電壓 | 2V |
| 最大功率耗散 | 375 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±20 V |
| 寬度 | 4.65mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 最高工作溫度 | +175 °C |
| 長度 | 10.51mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 151.2 nc @ 10v |
