Infineon mos ?設計是一項革命性的高電壓功率功率功率半導體技術，它是根據超級連接（ sj ）原理設計的，由 Infineon 技術公司率先開發的。最新的 cool mos ? P7 是一款經過優化的平臺，專為消費市場中的成本敏感型應用而定制，如充電器、適配器、照明、電視等
由于 fom rds （接通） *qg 和 rds （接通） *eoss 極低的損耗
產品驗證符合dec 標準
低切換損耗（ eoss ）
集成 esd 保護二極管
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 6 A |
| 最大漏源電壓 | 700 V |
| 封裝類型 | Pg 到 220 fullpak |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.9. Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 3.5V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | 硅 |
